电力工程半导体材料电子器件大多数是以电源开关方法工作中为主导、对电磁能开展操纵和变换的电力工程电子元器件。怎样关闭可控硅（英文简写：GTO）、电力工程晶体三极管（GTR）、输出功率场效晶体三极管（Power Mosfet）、绝缘层棚式双极型晶体三极管（IGBT）、尖端放电晶体三极管（SIT）、尖端放电可控硅（SITH）、MOS可控硅（MCT）等。

电力工程半导体材料电子器件可分成三类：双极型、单级型、复合型。

双极型元器件就是指元器件內部的电子器件和空穴二种自由电子都参加导电性全过程的半导体元器件。这类元器件的通断电阻器低于0.09Ω，通断工作电压减少，阻隔工作电压高，电流量容积大。普遍的有GTO（可关闭可控硅）、GTR（电力工程晶体三极管）、SITH（尖端放电可控硅）等。GTO抗压高（4500V）、电流量大（5000A）。GTR具备操纵便捷、定时开关短、导插电放低、高频率特点好等优势。SITH用棚极操纵启用和关闭，具备通断电阻器小、导插电放低、电源开关速度更快、功能损耗小、关闭电流量增益值大等特性。

单级型元器件就是指內部仅有关键自由电子参加导电性全过程的半导体元器件。普遍商品有Power Mosfet（场效晶体三极管）、SIT（尖端放电晶体三极管）。前面一种为工作电压操纵元器件，具备推动输出功率小、工作中速率高、无二次穿透难题、安全工作区宽等优势。后面一种是三层构造的大部分自由电子元器件。具备功率大，失帧小、输入电阻高、电源开关特点好等优势，可工作中于变大和电源开关二种情况。

复合型元器件是双极型和单级型元器件集成化混和而成。他们运用抗压高、电流量大、导插电放低的双极型元器件（GTO、GIR等）做为輸出正本，用输入电阻高、相对应速度更快的单级型元器件（Mosfet）做为键入级，因而具备二者的优势。典型性商品有IGBT（绝缘层棚式双极型晶体三极管）、MCT（MOS可控硅）等。

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