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• PN结的产生
• PN结的原理

学习培训文中前您很有可能必须阅读文章上一节课《P型半导体和N型半导体的形成》的一部分內容，这将有利于您对文中的了解。

PN结的产生

假如把一块本征半导体的两侧掺加不一样的原素，使一边为P型，另一边为N型，则在两一部分的表面便会产生一个独特的层析，称之为PN结。PN结是组成二极管、三极管及晶闸管等很多半导体元器件的基本。

如下图所显示是一块两侧掺加不一样原素的半导体材料。因为P型区和N型区两侧的自由电子特性及浓度值均不同样，P型区的空穴浓度值大，而N型区的电子器件浓度值大，因此在边界条件处造成了蔓延健身运动。P型区的空穴向N型区蔓延，因丧失空穴而带负电荷；而N型区的电子器件向P型区蔓延，因丧失电子器件而带正电荷，那样在P区和N区的交汇处产生了一个静电场（称之为内静电场）。

PN结内静电场的方位由N区偏向P区，如下图所显示。

以内静电场的功效下，电子器件将从P区向N区作飘移健身运动，空穴则从N区向P区作飘移健身运动。历经一段时间后，蔓延健身运动与飘移健身运动做到一种相对性平衡状态，在交汇处产生了一定薄厚的空间电荷区称为PN结，也叫阻挡层，能隙。

PN结的原理

假如将PN结加正方向工作电压，即P区接正级，N区接负级，如下图所显示。因为另加工作电压的电场方向和PN结内电场方向反过来。在外面静电场的功效下，内静电场可能被消弱，促使阻挡层变小，蔓延健身运动因而提高。那样大部分自由电子将在外静电力的推动下源源不绝地根据PN结，产生很大的蔓延电流量，称之为正方向电流量。

不难看出PN结正方向导电性时，其电阻器是不大的。

假如PN结加反方向工作电压，如下图所显示，这时，因为另加静电场的方位与内静电场一致，提高了内静电场，大部分自由电子蔓延健身运动变弱，沒有正方向电流量根据PN结，仅有极少数自由电子的飘移健身运动产生了反方向电流量。因为极少数自由电子为数非常少，故反方向电流量是很很弱的。

因而，PN结在反方向工作电压下，其电阻器是非常大的。

由之上剖析能够获知：

PN结根据正方向工作电压时能够导电性，常称之为通断；而加反方向工作电压时不导电性，常称之为截至。这表明：PN结具备单边导电率。

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