期望空位的绝缘间隔尽或许短——雷跋涉空位击穿电压
　　两种路径
　　改进电极形状①改进电场散布
　　　　　　　　　　运用气体放电本身的空间电荷畸变电场
　　尽量均匀
　　②削弱气体中的电离进程
　一、电极形状的改进——电场散布均匀，均匀击穿场强高
　　（1）增大电极曲率半径，减小外表场强。图2-25
　　（2）改进电极边际——弧形，消除边际效应
　　（3）使电极具有最佳外形。
　　准则：调整电场，降低有些过高场强，跋涉空位击穿电压（电气强度）
　　
　二、空间电荷的运用
　　极不均匀电场，击穿前发作电晕景象——运用放电本身发作的空间电荷改进电场散布
　　
　　例图2-26导线直径小反而击穿电压高，导线直径大，击穿电压与尖-板近——细线效应。
　　阐明：导线直径很小时，导线周围易构成均匀电晕流，电压 电晕流，电晕放电构成的空间电荷使电场散布改动，电晕流均匀，电场散布改进，然后跋涉了击穿电压。
　　导线直径大，外表不润滑，存在电场有些强的本地，——电离有些强， 别的强场无量，电脱离展剧烈，加强前方电场，削弱了周围邻近的电场（相似金属顶级）——电晕易转入刷状放电，击穿电压与尖-板击穿的电压邻近。
　　实验：雷电冲击电压下无细线效应——电压效果时间短，来不及构成空间电荷层。
　　运用空间电荷（均匀电晕）跋涉空位击穿电压——继续电压。
　三、极不均匀场中屏障的选用
　　放入薄片固体绝缘资料，显着跋涉空位击穿电压——屏障
　　
　　与电压品种有关：
　　① 尖电极正极性，屏障显着跋涉空位击穿电压，图2-28
　　无屏障，尖电极邻近正离子构成会集的正空间电荷，推进电脱离展击穿电压低。
　　设置屏障后，正离子堆集并在外表均匀散布，屏障前方构成均匀电场，改进电场散布，跋涉击穿电压——效果与方位有关。
　　
　　② 尖电极负极性
　　屏障挨近期板极，欠好降低了击穿电压
　　③ 工频电压下设置屏障击穿曲线——显着跋涉击穿电压
　　④ 雷电冲击电压下
　　⑤ 均匀、稍不均匀电场，屏障不能跋涉空位击穿电压
　四、固体绝缘掩盖层
　　稍不均匀电场，离场强电极外表掩盖固体低绝缘层，跋涉击穿电压显着，有待进一步得入
　五、高气压的选用
　　大气压下空气电气强度30kV/cm，不高
　　别的方法——削弱气体电离进程，如内绝缘有条件下，跋涉气压，削减电子均匀行程，削弱电离。分外留神如下：
　　（1）电场均匀程度影响 图2-32
　　
　　空位间隔不变，击穿电压随压力跋涉而添加，必定程度而变缓，高气压下，电场均匀程度对击穿电压的影响比大气压力下显着均匀程度降低，击穿电压将剧烈降低，高压下，应尽量均匀，但气压不会太高，因为①-下压力高，击穿电压低，不契合申规矩②对容电机械强度及密封恳求高
　　（2）电极外表状况的影响
　　高气压下，气隙击穿电压和电极外表粗糙度类不大，粗糙——击穿电压低。新电极开端几反击穿电压较低，屡次火花击穿后击穿电压跋涉，涣散性小——电极的“老炼”处理污物，湿度等要素在高压下对气隙击穿电压的影响比常压下显着。
　　定论：高气压下应尽或许改进电极形状，改进电场散布，电极应加工亮光，气体要过滤，充气后需较长时间静化后再运用。
　六、高真空的选用
　　——削弱电极间气体的电离进程，电子安闲行程变大，但空位中E分子可磕碰电离子进程无从翻开，跋涉了击穿电压
　　P<133x十-4Pa Eb很高
　　高真空下，击穿场强Eb与P联络不大，磕碰电离不起首要效果，强场放射是高真空下的击穿机理。
真空断路口
　　
　七、高电气强度气体（SF6）的选用
　　卤族云素气体化合物，六氟化硫SF6，四氯化碳CCl4，氟列昂CCl2F2电气强度都比空气高许多——高电气强度气体替代空气Ub体积
　　相对电气强度——气压，空位间隔一样下，与空气电气强度之比。
　　SF6无色，无味，无毒，非燃性，慵懒化合物，无弧功用，无腐蚀效果。
　　用于大容量高压断路口，高压充气电缆，高压电容口，充气套管中。
　　缺陷：造价高，温室气体，损坏自氧层。
　　1.SF6等气体电气强度高的要素
　　①富含卤族之素，具有很强的电负性，气体分子简略和电子联络变成负离子，然后削弱了电子的磕碰电离才干，一同又加强了复合进程。
　　②气体分子量大，直径大，使得电子安闲行程缩短，不易堆集能量，削减了电离才干。
　　③电子与这些气体的分子相遇，易致使分子极地，添加能量扔掉，削弱电离才干。
　　2.电子电离系数，附着系数及自我按捺放电条件
　　SF6可用气体放电理论剖析，其分外的本地在于具有剧烈的电负性，分子吸附电子，而阻挠放电翻开的或许性。
　　电子运动中添加的规矩
　　电离系数：单位长度新增电子数
　　电子附着系数：单位长度被吸附的次数
　　有用电离子数
　　SF6仅当E/P>临界值时，放电才或许翻开
　　空气SF6是空气的3倍
　　
　　 -E成性联络
　　崩头电子数
　　临界值即
　　时电子崩转入流注
　　放电：非自我按捺——自我按捺
　　代入
　　
　　3.SF6气体空位的工程击穿场强Ebt
　　各种要素，大略估量

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