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电工基础知识 场效应管
场效应管也称场效应晶体管，其外形与三极管相类似，其主要区别是三极管属于电流控制元件'场效应管属于电压控制元件。三极管需要信号源提供电流进行放大，场效应管不需信号源提供电流，其输入电压决定输出电流的大小。场效应管通过外加电场对沟道即场效应管中导电的途径进行控制，以改变沟道电阻值的大小。场效应管分为三类。
第一类为结型场效应管，用JEEF表示。
第一类为结型场效应管，用JEEF表示。
第二类为绝缘栅场效应管，用MOS表示。
第三类为金属场效应管，用VMOS表示
常用的结型场效应管与三极管外形一样，同三极管一样，结型场效应管也有N沟道和P沟道，分别有三个电极，电极D为漏极，电极s为源极，电极G为栅极，其结构及电路符号如下图所示。
结型场效应管是在一块N型半导体上面做一个薄层P区，在P区引出一个电阻性接触的电极，称为栅极，栅极通常作为衬底，在N型半导体的两端各制成一个电阻陛接触的电极，称为源极和漏极，也在源极和漏极之间形成一个导电沟道。当给栅极加控制电压时，导电沟道的宽度将随控制电压的大小而发生变化，从而实现用电压控制沟道电流。当沟道教“夹断”时，源极和漏极之间被关断，就没有电流流过。
结型场效应管主要技术参数由三部分组成，即直流参数、交流参数和极限参数。
结型场效应管主要技术参数由三部分组成，即直流参数、交流参数和极限参数。
场效应管的另外两类是绝缘栅型场效应管和金属场效应管。常用的绝缘栅型场效应管多为双栅型的结构，栅极与源极、漏极绝缘，具有极高的输入阻抗，其工作频率高，增益高，动态范围广，抗干扰性能好，过载能力强。其电路图形符号如下图(a)所示。金属场效应管实质上是一种功率型场效应管，简称VMOS管，全称V形槽MOS场效应管，其电路图形符号如下图(b)所示。V-MOSFET是具有V形槽结构和垂直导电型的半导体器件的统称。V-MOSFET不仅保留了场效应管固有的输入阻抗高、驱动电流小的特点，还是一种耐压高、工作电流大、输出功率大、跨导线性好、开关速度快的高效功率开关器件。常用功率MOSFET场效应晶体管技术参数见下表。
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