怎样解决S7-200因停电时间较长而丢失数据的问题？

2017-03-14 14:53分类：变频器阅读：

使用中发现S7-200停电1个星期后，用触摸屏输入PLC的参数丢失，停电两三天则没有问题。

S7-200用CPU中的超级电容器来保存RAM中的数据，保持的时间与CPU模块的型号有关，典型值为50小时或100小时。

可以用可选的电池卡来延长RAM存储器保持信息的时间，只是在超级电容器电压过低时电池卡才提供电源，保存数据的时间典型值为200天。

S7 - 200用内置的非易失性存储器(EEPROM)来保存用户程序和少量的数据，PLC的电源消失后，存储在EEPROM中的数据不会丢失。

如果设置为保持，在CPU模块掉电时，M存储区的前14个字节MBO- mb13自动地被永久性地保存在非易失性存储器中，上电时它们被恢复。

可以将V存储区中任意位置的数据（字节、字和双字）复制到地址相同的非易失性存储器中。一次写非易失性存储器的操作会使扫描周期增加Sms。复制的步骤如下：

(1)将要保存的V存储器的地址送特殊存储器字SMW32；

(2)将数据长度单位写入SM31.0和SM31.1，这两位为00和01时表示字节，为10时表示字，为11时表示双字；

(3)令SM31.7=1，在每次扫描结束时，CPU自动检查SM31.7，该位为1时将指定的数据存入非易失性存储器，CPU将该位置0后操作结束。

在下面的例程中，10.0接通后将VBlOO的值写入EEP-ROM：

LD 10.0

MOVW 100, SMW32

MOVB 16#80，SMB31

在CPU上电时，系统程序自动地将EEPROM中保存的数据恢复到对应的V存储区中。

写入非易失性存储器的操作次数是有限制的，最少10万次，典型值为100万次。建议只有在发生特殊事件时才将数据保存到非易失性存储器，否则可能会因为写入次数过多使非易失性存储器失效。

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