(1)典型连接电路
    由绝缘栅双极型晶体管IGBT构成的驱动电路对驱动信号的要求和由MOSFET管组成的驱动电路对驱动信号的要求基本相同，但前者组成的驱动电路基本上都实现了模块化。图1-9所示是一种使用较普遍的、型号为EXB850的模块内部电路方框图，其外部典型连接电路如图1-10所示。
    (2) VT3的基极得到驱动信号
    当晶体管VT3的基极得到驱动信号后，VT3导通，导致EXB850模块⑥与⑩脚内的光电耦合器IC1工作，使EXB850模块内部的AMP放大器输出为“+”，内部的晶体管VT1导通，控制+20 V电源从EXB850模块的②脚输入，经导通的VT1→EXB850模块的③脚一限流电阻器RG→绝缘栅双极型晶体管VT4的栅极；同时，VT4的发射极经EXB850模块的①脚一稳压二极管VDW→EXB850模块的⑨脚一控制电源的“OV”端。
    至此，绝缘栅双极型晶体管VT4的栅极与发射极之间得到正电压而导通。此时，电容器C2上被充上了上正、下负的电压，该电压的大小取决于稳压二极管的稳定电压。
    (3)VT3的基极驱动信号消失
    当VT3基极上的驱动信号消失后，VT3截止，导致EXB850模块⑩与⑩脚内的光电耦合器IC1停止工作，使EXB850模块内部的AMP放大器输出为“一”，内部的晶体管VT2导通、VT1截止。此时，绝缘栅双极型晶体管VT4的栅极G经EXB850模块的⑨脚→导通的VT2→ FXB850模块的⑨脚一控制电源的“OV”端连接，而发射极E则和电容器C2的正极端的连接，绝缘栅双极型晶管VT4的栅极与发射极之间符到负电压而截止。

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