(1)截止→饱和
为了保证晶体管尽快进入饱和状态，开始导通时的基极电流较大；当晶体管已经进入饱和状态时，为了便于在切换时容易退出饱和状态，故电路采用了适当减小基极电流的方法，来减轻饱和深度。
    (2)饱和→截止
    为了保证晶体管尽快进入截止状态，电路中的基极(b)与发射极(e)之间采用了反向配置方式。在基极与发射极之间刚开始加入反向电压时，基区里过剩的载流子被迅速抽出，故有较大的反向电流。
    (3)保护电路
    由于晶体管VT1、VT2基极与发射极之间的反向击穿电压UCBO较低（通常小于6V），为了防止在反向配置时被击穿，通常都在其基极与发射极之间连接有保护电阻或二极管等，这些元件一般集成在集成电路内，以图10-7所示电路为例。如为分立器件驱动电路，则保护元件直接连接在晶体管的基极与发射极之间。
    (4)电路元件作用
    在图10-7所示电路中，晶体管VT1与VT2构成了集成电路外接的互补驱动电路，其中的VT1用于向电力晶体管GTR（即VT3）提供正向的驱动电流，VT2用于向VT3提供反向驱动电流。

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