绝缘栅双极型晶体管简称IGBT，是场效应晶体管( MOSFET)和电力晶体管(GTR)组合在一起而形成的。它的主体部分与GTR相同，也有集电极(C)和发射极(E)，而控制极的结构与MOSFET相同，为绝缘栅结构，也称为栅极(G)，如图10-20所
示。

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