绝缘栅双极晶体管的主要特点表现在以下几个方面。
    (1)输入阻抗高
    绝缘栅双极晶体管输入阻抗高，栅极驱动功率极小，驱动电路也很简单。    
    (2)电流密度大
    绝缘栅双极晶体管芯片面积比MOSFET小一倍多的IGBT，电流容量比同样耐压的MOSFET大两倍以上。
    (3)饱和压降低
    绝缘栅双极晶体管以耐压600 V的IGBT为例，在10A～40A电流下，饱和压降Uce（sat）砒：典型值仅1.6 V左右。有源面积0.1cm²的IGBT，在IC≥2A下，开通损耗比功率相当的有源面积为0.56cm²的MOSFET还要小。
    (4)安全工作区范围大
    绝缘栅双极晶体管工作电压和工作电流范围大，击穿电压高，耐短路时间达10 us，在较高的瞬态功率下不会受损坏。
    (5)开关速度快
    绝缘栅双极晶体管IGBT的开关下降时间小于100 ns，最高开关频率达150 kHz以上，与MOSFET相当，即使在200 kHz的硬开关下，也可稳定工作。
    (6)热阻小，散热能力和耐高温能力强
    例如，绝缘栅双极晶体管用耐压600 V、芯片面积为0.654cm²的MOSFET，管壳（体）温度可降低10℃，损耗降低5%以上。

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