在全部MEMS生态体系中，MEMS封裝发展趋势快速，圆晶级和3D集成化愈来愈关键。本文中，大家剖析了MEMS集成化和封裝的状况和将来发展趋向。关键的发展趋势是为超低温圆晶键合等soc芯片集成化开发设计出与CMOS兼容的MEMS生产制造加工工艺。另一个新发展趋势是裸片层叠运用于成本低无重金属半导体封装，这类技术性能为批量生产产生更低的费用和更小的管脚封裝。除此之外，3D集成化使LCRpassives变成 很有可能。LCRpassives置入封裝使得外界passives降到最低而且为小脚位运用、圆晶键合、竖直内封裝联接层和中介公司层给予便捷。可是，MEMS元器件的CMOS和3D集成化给模型、检测和稳定性产生挑戰。

　　硅中介公司层和封裝集成化

　　在一个层叠裸片或2.5D/3D封裝中硅中介公司层用于竖直联接2个集成ic。在微处理器和FPGA中，一般 选用高脚位总数和密度高的联接。此项技术性以竖直硅埋孔（TSV）方式相近的被MEMS选用。

　　金属材料基硅中介公司层根据DRIE离子注入几十到几百微米的竖直管沟，随后镀覆以生产制造竖直金属材料电导体。金属材料和硅的线膨胀系数失衡会造成 非常大的机械设备地应力，地应力会造成圆晶弯折、涨缩，变脆而难以生产加工。

　　夹杂光伏电池是金属材料TSV的取代技术性，尤其是运用于深层可以达到几百微米的深奥长宽比MEMSTSV中。中介公司方面对的其他挑戰包含高元器件相对密度下的热对流，高耗能运用，缺乏3D集成化仿真模拟模型的EDA仿真工具，拼装加工工艺稳定性及其如何获得失效分析的数据信号等。

　　圆晶级封裝

　　MEMS圆晶级封裝的最后目标是沒有封裝。专业术语“无封裝（或是，硅封裝）”就是指元器件在圆晶生产加工的环节中进行封裝，而不要在圆晶切成片后再进一步拼装。那样做关键的竞争优势是降到最低元器件规格，而且防止了高成本费的传统式半导体材料拼装。这类封裝，元器件配有金属材料垫片便于事后检测和运用。

　　运用圆晶级封裝和其他μm技术性，元器件中能够包含含有仿真模拟插口电源电路的相应作用IC（ASIC），并融合一个或好几个MEMS感应器产生一个详细的感应器SOC。ASIC和MEMS可在同一圆晶或分离的圆晶上生产制造，随后键合在一起产生硅封裝。圆晶键合产生了密封性维护，并在ASIC和MEMS中间产生电联接。这类方式中，ASIC圆晶能够包含TSV，以使电子信号传送到层叠的底端。金属材料垫因而被放置层叠的底端，作为电检测及其检测和表层封裝的媒体。

　　圆晶键合务必是一个增产加工工艺，以确保一致的键合品质和每一个单独感应器的密封性。乃至最少的缝隙也会更改MEMS的里面自然环境，这会致使感应器数据信号的飘移。这种缝隙难以检验，要想发觉缝隙就必须毁灭性试验。因此 ，务必应用试品检测和持续的加工工艺检验统计分析来确保键和品质。

　　在反面，含有垫片的细微封裝必须密度高的检测针，乃至必须在批量生产检测中应用MEMS探头。最后，元器件规格和硅的延性造成不能运用传统式半导体材料解决方式 ，比如作用力送-吸-放式分选设备。

　　作用的衡量

　　MEMS产业链过去两年自始至终房屋朝向一个元器件包含10个可玩性（DOF）的角度发展趋势，完成充分的本人导航栏元器件。10DOF元器件包含3轴加速度传感器、3轴手机陀螺仪、3轴磁力计和1轴气压感应器。尽管把这种作用在一个小脚位封裝中完成从技术上是有效的，但因为各种因素致使经济发展上不行得通。

　　在融合的费用和可制作性上要有衡量。多用途的感应器提升了安装的复杂性，裸片层叠能够达到小脚位封裝和塑料薄膜輔助注塑加工，进而为标准气压感测器造就一个通风口。一个或2个裸片过多注塑加工十分普遍而且降低成本，融合MEMS实际加工工艺的多裸片堆叠，例如为了更好地机械设备震动防护而做的胶遍布，会巨大地提升封裝成本费，在设计阶段和散件成本费层面全是这般。

　　一个加工工艺在少量产时行得通，在大量批量生产时却也许会很有趣味性，由于生产量这时候很有可能会做到上千万甚至上亿，而拼装通过率规定做到90%。过去的時间里，MEMS商品企业看起来早已更改了她们的发展战略，去集成化相近的和互补性的作用，而把其余的作用从封裝中分离。从运用的视角看来，这很更有意义。比如，运动传感器应当放置手执电子元器件的核心部位，而磁力计最好是和其他元器件分离以减少在精确测量地磁场方向时得到的危害。

　　针对生产制造检测，运动传感器可在同一个检测仪中测试连接线瞬时速度和角加速度，但液位传感器必须彻底不一样的检测设备。到迄今为止，多种多样感测器作用在一个封裝中融合或是一个繁杂难题，很多企业都会尽力找到方式 以保证在消费电子产品和其他运用中的发展趋势百舸争流影响力。

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