磁电阻器（GMR）效用是1988年发觉的一种磁致电阻器效用，因为相比于传统式的磁电阻器效用大一个量级之上，因而名叫巨磁电阻（Giant Magnetoresistanc），通称GMR。

针对化学物质磁电阻器性能的探讨日益突出，早就在20世际40时代大家就发觉了磁电阻器效用。说白了磁电阻器是具体指导体在电磁场中电阻器的转变，一般 用电阻器弹性系数Δr/r叙述。研究发现，一般金属材料导线的Δr/r不大，仅有约10-5%；针对带磁金属材料或合金制品（比如坡莫合金），Δr/r可以达到（3~5）%。说白了巨磁电阻（GMR）效用，就是指一些带磁或合金制品的磁电阻器在一定电磁场的作用下大幅度减少，而Δr/r大幅度扩大的特点，一般扩大的频率比一般 的带磁与合金制品的磁电阻器约高10倍。运用这一效用制作的感应器称之为GMR感应器。

说白了磁电阻器是具体指导体在电磁场中电阻器的转变。大家*早于1856年发觉了磁铁单晶体的各相异性朋友磁电阻器效用，但因为科学发展观水准及技术性标准的局限性，标值并不大的各种各样磁电阻器效用并没有引发我们过多关心。直至1988年，波兰和俄罗斯生物学家陆续发觉（Fe/Cr）双层膜的磁电阻器效用比坡莫合金的各相异性朋友磁电阻器效用约大一个量级，马上造成了全球的震惊，该发觉也导致她们得到了2007年的诺贝尔奖物理学奖。

现阶段，针对带磁双层膜材质的巨磁电式效用，一般 用二液体实体模型开展判定表述，其基本概念如下图所显示。

（a）反磁铁藕合时电阻器处在高阻态的输运特点 （b） 另加电磁场的作用下电阻器处在低阻态的输运特点

二液体实体模型中，磁铁金属材料中的电流量由磁矩往上和朝下的电子器件各自传送，自旋磁矩方位与地区被磁化方位水平的传输电子器件受到的透射小，因此电阻低。当带磁双层膜邻近磁层的磁矩反磁铁藕合时，磁矩往上、往下的传输电子器件在传送流程中各自接纳规律性的强、弱透射，因此均表現为高阻态Ra；当双层膜中的邻近磁层在另加电磁场的作用下趋向平行面时，磁矩往上的传输电子器件遭受较差的透射功效，组成了低阻安全通道Rc，而磁矩朝下的传输电子器件则因遭受剧烈的透射功效产生高阻安全通道Rb，因一半电子器件处在低阻安全通道，因此这时的带磁双层膜主要表现为低阻情况。这就是带磁双层膜巨磁电阻效用的原因。

而经典的巨磁电阻感应器由四个电阻值同样的电阻器组成惠斯通电桥构造，如图所示2所显示。R1和R3由高磁化强度的原材料（坡莫合金层）遮盖屏蔽掉，对外开放电磁场无响应，电阻器R2和R4则受外界电磁场转变 危害。

（c） 典型性的巨磁电阻感应器结构示意图

选用电桥电路构造的效果是可以更为灵巧地体现出电阻器的转变，也就可以更为灵巧地反引出来电磁场的转变。

巨磁电式感应器发展前途

人们运用电子器件的荷电荷在集成电路芯片上创建了现在的信息化时代，磁矩电极化输运给人们提供的或许也是一片宽阔的乾坤。磁电力电子技术给与人们以理想和期待， 与此同时也提供人们大量、更高的挑戰。实际上人们针对磁矩电极化输运的认识还处在一个十分庸俗的环节，对新产生的新状况、新效用的了解大部分或是一种“拼接式” 的、半經典的唯象理论。做为磁学和微电子学的交叉科学，磁电力电子技术将不管在基础研究或是在应用程序开发上面将是凝聚态物理工作人员和电子技术专业技术人员大展身手的 新的领域。GMR效用是磁电力电子技术的具体内容之一，是一项方兴未艾的工作，其发展趋势必然产生人们技术性文明行为的进一步发展趋势。由GMR效用做成的好用元器件对电子信息技术的 奉献是显而易见的。

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