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基于闭环的电容式传感器的工作原理和设计方法

2022-05-19 07:58分类:传感器 阅读:

 

机械设备式惯性力感应器早已成为了很多消費设备的一个构成部分,例如便携式移动智能终端、数码相机和游戏控制器等。除此之外,微脚踏式惯性力感应器还被普遍适用于工业生产、汽车安全性和平稳操纵及其导航栏行业中的震动检测。一般来说,微型传感器能够是压阻式、压阻式或电容器式感应器。殊不知,电容传感器感测器的高耐热性和高灵敏促使它对类型普遍的运用而言极具诱惑力。

带数字载入作用的基本上的电容传感器感应器插口电源电路由电容器到电压转换器(C/V),及其接着的数模转换器(A/D)和数据信号调整电源电路构成。以开环增益配备(沒有反应数据信号)运作这类感应器能够产生相对性简易的系统软件,这类系统软件实际上就相对稳定。即便如此,开环增益工作中时的对系统MEMS参数会特别比较敏感。除此之外,全部体系的线性受感应器系统软件链中每一个板块的线性危害,并且C/V和A/D的采样率规定也许会更为严苛。反过来,将MEMS感应器放到负的反馈闭环控制中应用有众多益处,比如改善的网络带宽、对MEMS元器件的加工工艺和气温转变具备较低的敏感度。此外,因为C/V只必须解决偏差数据信号,与开环增益工作方式对比,C/V采样率和线形指标值能够放开。因而为保证体系的可靠性,恰当设计方案意见反馈环城路就看起来十分关键。

在电容传感器感应器中,意见反馈数据信号以电容器鼓励电级上的电流数据信号方式增加到MEMS.这一增加的电流将造成一个静电力并功效到MEMS品质块上。因而最后生成的系统软件被称作力回馈系统软件。殊不知,电容器有一个二次的工作电压比较关联,它会限定体系的线性。

摆脱工作电压比较(V/F)二次关联压力的一种方式 是以差分信号方法增加鼓励数据信号,便于相抵二次项。殊不知,这类技术标准正负极工作电压值,这将提升感应器插口ASIC的多元性。更主要的是,差分信号工作中需要的2个鼓励电容器如果不配对会造成 鼓励二次项不可以彻底相抵,因而电容器不配对将限定系统软件可达到的特性。

完成闭环控制工作中的此外一种方式 应用二级bang-bang意见反馈数据信号。因为仅用到两个点的二次V/F关联,这类方式 与生俱来便是直线的,并且并不依靠MEMS电容器的配对或应用负工作电压去相抵离散系统。应用二级鼓励代表着将意见反馈数据信号力度中的消息转换成为時间信息内容。因而Σ-Δ调配能够变成 完成闭环控制数据载入温度传感器的一种合理技术性。此外,根据Σ-Δ的环城路默认设置 给予AD转换作用,因而无需再应用独立的A/D.Σ-Δ闭环控制构架意味着了性能卓越数据载入温度传感器的最佳构架。特别注意的是,Σ-Δ系统软件的超采样特点会使电脑操作系统工作中在相对性较高的頻率,因而系统软件越来越容易受MEMS分布电容藕合的危害。即便如此,相抵这类藕合的线路技术性早已十分完善,而且还可以在感应器的插口ASIC中完成。Σ-Δ闭环控制感应器的构架挑选必须根据为电子器件Σ-Δ系统软件开发的深层次技术性。殊不知,具备当然电子器件-机械设备性能的Σ-Δ闭环控制感应器在系统软件级设计方案与提升时必须正确认识MEMS的原理和模型体制。典型性MEMS感应器的检验一部分个人行为就好像一个二阶集总式品质块(减振器)弹簧机系统软件,具备单一的串联谐振,其开环传递函数以下:

在其中Fin(s)是填写的力(在应用手机陀螺仪时是科里奥利力,在应用瞬时速度记时是因为键入加快造成的力)。x(s)是感应器品质块相匹配键入力的偏移。m是品质块的品质,D是阻尼力,k是扭簧参量(弯曲刚度)。

MEMS感应器的原理根据那样一个客观事实:给MEMS增加一个键入力(Fin)将造成一定的偏移,从而更改MEMS电容器(Cout)。这一Cout可以用联接MEMS模块的线路开展精确测量。带鼓励电级的MEMS感应器模型如图所示1所显示。这一实体模型的收获是Kx/c,意味着因为MEMS品质块偏移导致的輸出电容器转变。Kx/c相当于:

在其中Cd是MEMS的检验电容器,X0是电容器空隙间距。指数2意味着差分信号工作中。这一实体模型还包括一个KV/F因素,它是因为意见反馈工作电压VACT造成的力:

在其中VACT是鼓励工作电压,Ca是MEMS的鼓励电容器。吸合(拉进)是电容传感器MEMS感应器的一个关键状况,这时电容器极片因为增加的大工作电压而吸合在一起,进而造成工作中常见故障。避免吸合的较大静态数据工作电压相当于:

在其中C0是电容器的多余容积。以上Vp关系式仅仅用以展现Vp的关联性。

图1:MEMS惯性力感应器感测器一部分实体模型可是在像Σ-Δ环城路中这样的动态性工作电压鼓励状况下,以上关系式不可以准确地表明Vp的真实值。在根据Σ-Δ的控制器中,MEMS作为环城路过滤器,会产生一个二阶电子器件-脚踏式Σ-Δ系统软件。

将MEMS引进Σ-Δ环城路能够提升级别,并进一步抑止量化分析噪音。图2表明了根据Σ-Δ的感应器框架图,在其中的MEMS与独特运用集成电路芯片(ASIC)联接在一起构成了一个详细的感应器。这一体系还融合了一个附加的Hcomp块,用以赔偿环城路并维持其可靠性。

图2:根据Σ-Δ的闭环控制感应器框架图

这类闭环控制感应器的体系级设计方案将明确每个MEMS和ASIC主要参数的最佳值,例如弯曲刚度(k)、空隙间距(X0)、阻尼力(D)、鼓励工作电压(VACT)和ASIC噪音。为了更好地保证 Σ-Δ环城路的稳定工作,感应器的键入数据信号不可以超出意见反馈数据信号。因而鼓励工作电压值VACT界定了给出MEMS参数集标准下可以的较大键入数据信号。殊不知,为了更好地容许大的键入数据信号范畴而形成大的VACT会造成功能损耗增加,并且有时候规定选用独特的ASIC技术性才可以容许髙压工作中。ASIC技术性的挑选将直接影响到控制器的整体成本费。更主要的是,VACT容许的最高值受MEMS吸合工作电压Vp的限定。

MEMS空隙间距(X0)是系统软件能不能完成低噪音工作中的一个重要主要参数。减少X0会造成更多的Cd和Kx/c,并因而提升MEMS前向增益值(敏感度)。高灵敏能够降低ASIC噪音对以感应器键入为参照的噪音的危害。另一方面,MEMS的布郎噪音输出功率立即正比例于阻尼力(D)。总的感应器噪音由MEMS噪音和ASIC噪音构成。能够按照感应器目标特性、MEMS敏感度和阻尼力可能较大可容忍的ASIC噪音值。应当留意的是,能够到达的最少X0受MEMS技术性的限定。X0值对较大键入标准的危害,在于鼓励工作电压(VACT)是不是受制于MEMS的吸合工作电压。假如VACT受吸合电流的限定,那麼减少X0将造成容许的较大键入数据信号范畴减少。假如VACT不会受到吸合电流的限定,那麼X0的减少和鼓励电容器(Ca)及KV/F的改善可产生高些的意见反馈力,最后产生很大的键入范畴。

MEMS模块的弯曲刚度(k)是一个关键的控制系统设计主要参数,因为它能够在MEMS模块中获得有效的操纵,并不像X0,其极小值受MEMS技术性的限定。假定ASIC噪音核心感应器噪音,那麼可达到的较大采样率(VACT设成吸合以前的最高规定值)将单独于一阶k值。这主要是因为提升k不但会减少MEMS敏感度,提升以感应器键入为参照的ASIC噪音,并且也会使意见反馈力提升一样的总数,由于这个方式容许在高些的VACT时工作中。在MEMS噪音核心感应器特性的情形下,应提升k值,便于适用更多的采样率。而在工作中不会受到吸合限定的情形下,最好减小k值,进而提升MEMS敏感度,减少ASIC噪音对感应器噪音的危害。必须特别注意的是,k会更改MEMS模块的串联谐振。在开环增益感应器中,串联谐振设置了感应器网络带宽的限制,而对闭环控制系统软件而言不是这样。因而k值能够 依据采样率和噪音规定开展设定。

感应器特性对MEMS和ASIC主要参数的高宽比依赖感说明,闭环控制感应器的体系级设计方案必须做很多的折中考虑到,在其中的ASIC噪音费用预算、鼓励工作电压、功能损耗和工艺都极度取决于MEMS参数。因而为了能完成最佳的感应器,极力推荐根据感应器目标规格型号的ASIC与MEMS协同管理方式 ,而不是对于早已制定好的MEM再开展ASIC设计方案。

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