mos管电路图（一）

图上充电电池的正电荷根据电源开关S1收到场效管Q1的2脚源极，因为Q1是一个P断面管，它的1脚栅压根据R20电阻器给予一个正电位差工作电压，因此不可以插电，工作电压不可以再次根据，3v稳压管IC键入脚无法得到工作电压因此就无法工作中不启动！这时候，如果我们按住SW1开机功能键时，正电荷根据功能键、R11、R23、D4加进三极管Q2的基极，三极管Q2的基极获得一个正电位差，三极管通断（前边讲到三极管的情况下早已讲过），因为三极管的发射极立即接地装置，三极管Q2通断就等同于Q1的栅压立即接地装置，加进它里面的根据R20电阻器的电流就立即入了地，Q1的栅压就从高电位转变成低电位差，Q1导插电就从Q1同过加进3v稳压管IC的键入脚，3v稳压管IC就是那个U1輸出3v的工作标准电压vcc提供主控芯片，主控芯片根据校准清0，载入固定件程序流程检验等一系列姿势，输处一个操纵工作电压到PWR_ON再根据R24、R1三分压送至Q2的基极，维持Q2一直处在通断情况，即便 你松掉开机键断掉Q1的基极工作电压，此刻有主控芯片送过来的调节工作电压维持着，Q2也就一直可以处在通断情况，Q1就能持续不断的给3v稳压管IC给予工作标准电压！SW1还与此同时根据R11、R302个电阻器的分压电路，给主控芯片PLAYON脚送去時间长度、频次不一样的操控数据信号，主控芯片根据固定件辨别是播放视频、中止、启动、待机而輸出不一样的結果给对应的基准点，以实现不一样的运行状态！

mos管电路图（二）

下面的图是二种MOS管的常见运用：在其中第一种NMOS管为上拉电阻通断，低电频断开，Drain线接后边电源电路的接地线端；第二种为PMOS管典型性电路，为上拉电阻断掉，低电频通断，Drain线接后边电源电路的VCC端。

mos管电路图（三）

光耦电路加快MOS管关闭時间

图5 防护推动

为了更好地达到如图所示5所显示高档MOS管的推动，常常会选用变电器推动，有时候因为考虑安全性防护也应用变电器推动。在其中R1目地是抑止PCB板上生存的电感器与C1产生LC震荡，C1的效果是分隔直流电，根据沟通交流，与此同时也可以避免磁心饱和状态。
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