二极管防反接保护电路图_mos管防反接保护电路图_防反接保护电路

2021-08-24 03:30分类：电子技术阅读：

　 1.一般状况下直流稳压电源键入防堵接维护电源电路是运用二极管的单边导电率来完成防堵接维护。如下图1示：
这类接线方法简易靠谱，但当键入大电流量的状况下功能损耗危害是十分大的。以键入电流量额定电流做到2A,如采用Onsemi的迅速修复二极管 MUR3020PT，额定值管损耗为0.7V，那麼功能损耗最少也需要做到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，那样高效率低，热值大，得加热管散热器。
2.此外还能够用二极管桥对键入做整流器，那样电源电路就始终有恰当的旋光性(图2)。这种计划方案的缺陷是，二极管上的损耗会耗费动能。键入电流量为2A时，图1中的电源电路功能损耗为1.4W，图2中电源电路的功能损耗为2.8W。

图1 一只串连二极管维护系统软件不会受到反方向旋光性危害，二极管有0.7V的损耗。

图2 是一个桥式整流器，不管怎样旋光性都能够一切正常工作中，可是有两个二极管通断，功能损耗是图1的二倍。
运用MOS管的电源开关特点，控制回路的导通与断掉设计制作防堵接维护电源电路，因为输出功率MOS管的内电阻不大，解决了目前选用二极管开关电源防堵接计划方案存有的损耗和功能损耗过大的难题。
MOS管形防堵接维护电源电路
图3运用了MOS管的电源开关特点，控制回路的导通与断掉设计制作防堵接维护电源电路，因为输出功率MOS管的内电阻不大，如今 MOSFET Rds（on）早已可以保证毫欧级，解决了目前选用二极管开关电源防堵接计划方案存有的损耗和功能损耗过大的难题。
旋光性接反维护将维护用场效管与被维护电源电路串连联接。维护用场效管为PMOS场效管或NMOS场效管。若是为PMOS，其栅压和源极各自联接被维护电源电路的接地装置端和开关电源端，其漏极联接被维护电源电路中PMOS元器件的衬底。diangon.com倘若NMOS，其栅压和源极各自联接被维护电源电路的开关电源端和接地装置端，其漏极联接被维护电源电路中NMOS元器件的衬底。一旦被维护电源电路的开关电源旋光性接反，维护用场效管会产生短路，避免电流量损坏电源电路中的场效管元器件，维护总体电源电路。
实际N断面MOS管防堵接维护电源电路电源电路如图所示3示。

图3. NMOS管形防堵接维护电源电路。
N断面MOS管根据S引脚和D引脚串连于开关电源和负荷中间，电阻器R1为MOS管给予工作电压参考点，运用MOS管的电源开关特点控制回路的导通与断掉，进而避免开关电源接反给负荷产生毁坏。正接情况下，R1给予VGS工作电压，MOS饱和状态通断。接反的情况下MOS不可以通断，因此具有防堵接功效。输出功率MOS管的Rds（on）仅有20mΩ具体耗损不大，2A的电流量，功能损耗为（2×2)×0.02=0.08W压根无需另加散热器。解决了目前选用二极管开关电源防堵接计划方案存有的损耗和功能损耗过大的难题。