半导体资料的光电效应

2017-05-04 09:51分类：电子技术阅读：

半导体资料的光电效应是指如下状况：光照耀到半导体的P-N结上，若光子能量满意大，则半导体资猜中价带的电子吸收光子的能量，从价带跳过禁带抵达导带，在导带中呈现光电子，在价带中呈现光空穴，即光电子．空穴对，它们总起来又称作光生载流子．
光生载流子在外加负偏压和内建电场的效果下，在外电路中呈现光电流，如图3-38(a)所示．然后在电阻R上有信号电压输出．这么，就结束了输出电压随从输入光信号改动的光电改换效果．所谓负偏压是指P接负，N接正。
图3-38（b）是P-N结及其邻近的能带散布图。要留神的是能带的高、低是以电子（负荷）的电位能为依据的，电位越负能带越高．
由图可见，外加负偏压发作的电场方向与内建电场方向一同，有利于耗尽层的加宽（耗尽层宽的利益，将在后边介绍）．由前面的谈论还可看出：
因为光子的能量为hf，半导体光电资料的禁带宽度为Eg，那么，当光照耀在某种资料制成的半导体光电二极管上时，若有光电子-空穴对发作，显着，有必要满意如下联络，即
hf≥Eg
或写为