MOSFET的击穿有哪几种?
Source、Drain、Gate
场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G
(这儿不讲栅极GOX击穿了啊，只关于漏极电压击穿)
先讲查验条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流抵达1uA。所以从器材构造上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。
1) Drain->Source穿通击穿:
这个首要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时分，那源漏之间就不需求翻开就构成了通路，所以叫做穿通(punch through)。那怎么避免穿通呢?这就要回到二极管反偏特性了，耗尽区宽度除了与电压有关，还与两头的掺杂浓度有关，浓度越高能够按捺耗尽区宽度延展，所以flow里边有个防穿通写入(APT: Anti Punch Through)，记住它要打和well同type的specis。当然实习遇到WAT的BV跑了而且断定是从Source端走了，或许还要看是不是PolyCD或许Spacer宽度，或许LDD_IMP疑问了，那怎么扫除呢?这就要看你是不是NMOS和PMOS都跑了?POLY CD能够经过Poly有关的WAT来验证。对吧?
关于穿通击穿，有以下一些特征：
(1)穿通击穿的击穿点软，击穿进程中，电流有逐渐增大的特征，这是由于耗尽层拓宽较宽，发作电流较大。另一方面，耗尽层展广大简略发作DIBL效应，使源衬底结正偏呈现电流逐渐增大的特征。
(2)穿通击穿的软击穿点发作在源漏的耗尽层相接时，此刻源端的载流子写入到耗尽层中，
被耗尽层中的电场加快抵达漏端，因而，穿通击穿的电流也有急剧增大点，这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大纷歧样，这时的电流恰当于源衬底PN结正导游通时的电流，而雪崩击穿时的电流首要为PN结反向击穿时的雪崩电流，如不作限流，雪崩击穿的电流要大。
(3)穿通击穿通常不会呈现损坏性击穿。由于穿通击穿场强没有抵达雪崩击穿的场强，不会发作许多电子空穴对。
(4)穿通击穿通常发作在沟道体内，沟道外表不简略发作穿通，这首要是由于沟道写入使外表浓度比浓度大构成，所以，对NMOS管通常都有防穿通写入。
(5)通常的，鸟嘴边际的浓度比沟道基地浓度大，所以穿通击穿通常发作在沟道基地。
(6)多晶栅长度对穿通击穿是有影响的，跟着栅长度添加，击穿增大。而对雪崩击穿，严峻来说也有影响，可是没有那么显着。
2) Drain->Bulk雪崩击穿:
这就单纯是PN结雪崩击穿了(Avalanche Breakdown)，首要是漏极反偏电压下使得PN结耗尽区展宽，则反偏电场加在了PN结反偏上面，使得电子加快碰击晶格发作新的电子空穴对(Electron-Hole pair)，然后电子持续碰击，如此雪崩倍增下去致使击穿，所以这种击穿的电流简直活络增大，I-V curve简直笔直上去，很容焚毁的。(这点和源漏穿通击穿纷歧样)
那怎么改进这个junction BV呢?所以首要仍是从PN结自身特性讲起，必定要下降耗尽区电场，避免磕碰发作电子空穴对，下降电压必定不可，那就只能添加耗尽区宽度了，所以要改动doping profile了，这便是为何骤变结(Abrupt junction)的击穿电压比缓变结(Graded Junction)的低。这便是学致运用，别随声附和啊。
当然除了doping profile，还有便是doping浓度，浓度越大，耗尽区宽度越窄，所以电场强度越强，那必定就下降击穿电压了。而且还有个规矩是击穿电压通常是由低浓度的那儿浓度影响更大，由于那儿的耗尽区宽度大。公式是BV=K*(1/Na+1/Nb)，从公式里也能够看出Na和Nb浓度假定差10倍，简直其间一个就能够疏忽了。
那实习的process假定发现BV变小，而且供认是从junction走的，那好好查查你的Source/Drain implant了
3) Drain->Gate击穿：这个首要是Drain和Gate之间的Overlap致使的栅极氧化层击穿，这个有点相似GOX击穿了，当然它更像Poly finger的GOX击穿了，所以他或许更care poly profile以及sidewall damage了。当然这个Overlap还有个疑问便是GIDL，这个也会奉献Leakage使得BV下降。

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