场效应管MOSFET
栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅门。electrode，电极。
源极(source)source本钱，电源，中文翻译为源极。起集电效果的电极。
漏极(drain)drain排出，走漏，中文翻译为漏极。起发射效果的电极。
通常的晶体管是由两种极性的载流子，即大都载流子和反极性的少量载流子参加导电，因而称为双极型晶体管，而FET仅是由大都载流子参加导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它归于电压操控型半导体器材，具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态计划大、易于集成、没有二次击穿景象、安全作业区域宽等利益，现已变成双极型晶体管和功率晶体管的强健竞赛者
在两个高掺杂的P区基地，夹着一层低掺杂的N区（N区通常做得很薄），构成了两个PN结。在N区的两头各做一个欧姆触摸电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。
N型导电沟道结型场效应管的电路符号。
将两个P区的引出线连在一同作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两头各引出一个电极，别离称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极拓宽电路——源极输出器
栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D。

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