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开关电源EMI电磁搅扰要素及按捺方法

2017-06-03 15:37分类:电子技术 阅读:

 

开关电源EMI电磁搅扰要素及按捺办法
 1MHZ以内----以差模搅扰为主:

  1、增大X电容量;

  2、添加差模电感;

  3、小功率电源可选用PI型滤波器处理(主张挨近变压器的电解电容可选用较大些)。

  1MHZ---5MHZ---差模共模混合:

  选用输入端并联一系列X电容来滤除差摸搅扰并剖分出是哪种搅扰超支并以处理。

  1、关于差模搅扰超支可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;

  2、关于共模搅扰超支可添加共模电感,选用合理的电感量来按捺;

  3、也可改动整流二极管特性来处理一对活络二极管如FR107一对通常整流二极管1N4007。

  5M---以上以共摸搅扰为主,选用按捺共摸的办法。关于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上搅扰有较大的衰减作用;可挑选紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环。处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的巨细。

  关于20--30MHZ:

  1、关于一类商品能够选用调整对地Y2电容量或改动Y2电容方位;

  2、调整一二次侧间的Y1电容方位及参数值;

  3、在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布;

  4、改动PCB LAYOUT;

  5、输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;

  6、在输出整流管两头并联RC滤波器且调联络理的参数;

  7、在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;

  8、在变压器的输入电压脚加一个小电容;

  9、能够用增大MOS驱动电阻。

  30---50MHZ广泛是MOS管高速注册关断致使:

  1、能够用增大MOS驱动电阻;

  2、RCD缓冲电路选用1N4007慢管;

  3、VCC供电电压用1N4007慢管来处理;

  4、或许输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;

  5、在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;

  6、在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;

  7、在变压器的输入电压脚加一个小电容;

  8、PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽或许的小;

  9、变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽或许的小。

  50---100MHZ 广泛是输出整流管反向康来电流致使:

  1、能够在整流管上串磁珠;

  2、调整输出整流管的吸收电路参数;

  3、可改动一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接恰当的电阻;

  4、也可改动MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改动散热器的接地址)。

  5、添加屏蔽铜箔按捺向空间辐射。

  200MHZ以上开关电源已根柢辐射量很小,通常可过EMI规范。

  EMI尽量将有高频电流流过的铜箔做在线路板内侧,将流过直流电的铜箔或是低频电流的铜箔放在外侧,高频大电流铜箔尽量短,用EMC的仪器查验都没有啥疑问,当然低端的用Pai型滤波就能够,20W以上则要变压器屏敝+共模电感,当有Y电容时,后级纹波的巨细对EMI影响较大;别的变压器用铜箔屏敝比绕线作用要好许多,本钱也低。反响电路有谐振时EMI也很悲伤,分外是从变压器中出来的一串串高频尖峰电压,会使该频段的MEI数值上升10乃至20DB以上,这在恒流开关电源中比照多见。单是如何把环路面积做到起码,便是很难的疑问,共模滤波有些跟初级如何方案,大电解电容如何放置,散热器器如何做,接地应当如何接,都需求思考,X电容与Y电容的排法,都很有考究。比方:共模电感下面不要走初级的任何铜线,但滤波电路能够经过,假定有PFC电感,这个电感离共模电感要远,并且这个电感下面最佳不要放置操控IC,分外是CRM办法的PFC。

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