场效应晶体管电路符号
场效应管英文缩写:FET(Field-effect transistor),简称为场效应管,是一种高输入阻抗的电压操控型半导体。场效应管也是一种晶体三极管,也有三个极,别离叫源极S,栅极G,漏极D。
场效应管电路符号
一:场效应管的分类:
1、各类场效应管依据其沟道所选用的半导体资料,可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道,即是电流转道。
2、依据结构和技能的纷歧样,场效应管分为结型和绝缘型两大类。
结型场效应管的英文是 Junction Field Effect Transistor,简称JFET。JFET 又分为N沟道,P沟道场效应管。
绝缘栅型场效应管:英文是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,缩写为MOSFET,简称MOS管。
MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
3、按导电办法:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
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