三极管参数及温度对三极管参数的影响

2017-06-08 15:03分类：电子技术阅读：

三极管参数及温度对三极管参数的影响
1、共射电流拓展系数和β在共射极拓展电路中，若沟通输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，此刻的集电极电流IC和基极电流IB的比即是，称为共射直流电流拓展系数。
当共射极拓展电路有沟通讯号输入时，因沟通讯号的效果，必定会致使IB的改动，相应的也会致使IC的改动，两电流改动量的比称为共射沟通电流拓展系数β，即

（5-6）
上述两个电流拓展系数和β的意义尽管纷歧样，但作业在输出特性曲线拓展区平整有些的三极管，两者的区别极小，可做近似持平处理，故在往后运用时，通常不加区别，直接彼此代替运用。
因为制作技能的懈怠性，同一类型三极管的β值区别较大。常用的小功率三极管，β值通常为20～100。β过小，管子的电流拓展效果小，β过大，管子作业的安稳性差，通常选用β在40～80之间的管子较为适宜。
2、极间反向丰满电流ICBO和ICEO
（1）集电结反向丰满电流ICBO是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量级，通常可疏忽。
（2）集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的巨细受温度的影响较大，穿透电流小的管子热安稳性好。
3、极限参数
（1）集电极最大容许电流ICM
晶体管的集电极电流IC在恰当大的方案内β值根柢坚持不变，但当IC的数值大到必定程度时，电流拓展系数β值将降低。使β显着削减的IC即为ICM。为了使三极管在拓展电路中能正常作业，IC不该逾越ICM。

（2）集电极最大容许功耗PCM 晶体管作业时、集电极电流在集电结大将发作热量，发作热量所耗费的功率即是集电极的功耗PCM，即
PCM=ICUCE （5-7）
功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是不是有散热器等条件有关。依据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的容许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方为安全作业区，右上方为过损耗区。
手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃分配，锗管为70℃分配，运用时应留神不要逾越此值，不然管子将损坏。
（3）反向击穿电压UBR（CEO）
反向击穿电压UBR（CEO）是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大容许电压。运用中假定管子两头的电压UCE＞UBR（CEO），集电极电流IC将急剧增大，这种景象称为击穿。管子击穿将构成三极管耐久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过大时，有或许会呈现，当管子截止时，UCE＞UBR（CEO）致使三极管击穿而损坏的景象。通常状况下，三极管电路的电源电压EC应小于1/2 UBR（CEO）。
4、温度对三极管参数的影响
简直悉数的三极管参数都与温度有关，因而不容疏忽。温度对下列的三个参数影响最大。
（1）对β的影响：
三极管的β随温度的添加将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其效果是在相同的IB状况下，集电极电流IC随温度上升而增大。
（2）对反向丰满电流ICEO的影响：
ICEO是由少量载流子漂移运动构成的，它与环境温度联络很大，ICEO随温度上升会急剧添加。温度上升10℃，ICEO将添加一倍。因为硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。
（3）对发射结电压ube的影响：
和二极管的正向特性相同，温度上升1℃，ube将降低2～2.5mV。
综上所述，跟着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将降低，这对三极管拓展效果晦气，运用中应选用相应的方法打败温度的影响。