二极管的伏安特性是指加在二极管两头电压和流过二极管的电流之间的联络，用于定性描写这两者联络的曲线称为伏安特性曲线。经过晶体管图示仪查询到硅二极管的伏安特性如下图所示。

正向特性
1)外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流简直为零，曲线OA段称为不导通区或死区。通常硅管的死区电压约为0.5伏, 锗的死区电压约为0.2伏，该电压值又称门坎电压或阈值电压。
2)当外加正向电压逾越死区电压时，PN结内电场简直被抵消，二极管呈现的电阻很小，正向电流开端增加，进入正导游通区，但此刻电压与电流不成份额如AB段。随外加电压的增加正向电流活络增加，如BC段特性曲线陡直，伏安联络近似线性，处于充沛导通状况。
3)二极管导通后两头的正向电压称为正向压降(或管压降)，且简直安稳。硅管的管压降约为0.7V，锗管的管压降约为0.3V。
反向特性
1)二极管接受反向电压时，加强了PN结的内电场，二极管呈现很大电阻，此刻仅有很小的反向电流。如曲线OD段称为反向截止区，此刻电流称为反向丰满电流。实习运用中，反向电流越小阐明二极管的反向电阻越大，反向截止功用越好。通常硅二极管的反向丰满电流在几十微安以下，锗二极管则达几百微安，大功率二极管稍大些。
2)当反向电压增大到必定数值时(图中D点)，反向电流急剧加大，进入反向击穿区，D点对应的电压称为反向击穿电压。二极管被击穿后电流过大将使管子损坏，因而除稳压管外，二极管的反向电压不能逾越击穿电压。

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