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场效应管拓宽电路剖析

2017-07-05 17:55分类:电子技术 阅读:

 

场效应管(FET)与双极型晶体三极管(BJT)一样能结束对信号的操控。由场效应管构成的根柢拓宽电路与晶体三极管构成的拓宽电路相似。FET的三个电极(G、D、S)别离和BJT的三个电极(B、C、E)对应,从作业原理上看,BJT是经过Ube及Ib来操控集电极电流Ic ,FET则经过Ugs来操控漏极电流Id,它们之间存在对应联络。由FET 构成的根柢拓宽电路一样有三种组态,别离是共源极组态、共漏极组态和共栅极组态。
FET 拓宽电路的剖析办法与BJT拓宽电路的剖析办法根柢一样,能够用图解法和低频小信号等效(微变等效)电路法。
4.4.1直流剖析
与BJT拓宽电路相似,给FET栅极供应直流电压的电路称为偏置电路。FET的偏置电路分为固定偏置电路、自给偏置电路和分压式偏置电路三种。

1) 固定偏置电路共源组态的根柢拓宽电路如图4-6 所示。为了使耗尽型JFET 作业在拓宽区,应当给FET 栅极供应负偏压。图4-6a 是为FET供应负偏压的固定偏置拓宽电路,偏置电压由外加电压Ugg供应,因为FET的输入电阻很大,流过栅极的电流简直为零,因而,Rg两头的电压降为零,

2) 自给偏置电路

式自给偏压电路。
3)分压式自给偏压电路

将(4-8)与(4-13)联立求解,能够得到静态时漏极电流Id和栅源电压Ugs的值。从图
4-7b 的沟通等效电路中将看到, Rg3的引进,有利于行进拓宽器的输入电阻。上述剖析以看到,运用式(4-13)获得适宜的UGs较为便当,因而,分压式自给偏压电路不只适用于增强型FET拓宽电路,也一样适用于耗尽型FET拓宽电路。
4.4.2 小信号模型剖析
小信号等效模型也称为微变等效模型。从场效应管的输出特性和搬运特性标明,当场效应管作业在低频小信号条件下时,电流和电压的动态方案没有超出特性曲线的动态方案,因而,FET小信号拓宽电路也能够用等效电路进行剖析。
4.4.2.1 FET的小信号等效模型
FET的输出特性可知,漏极电流Id与漏源电压和栅源电压的联络为




4.4.3 共漏极拓宽电路
共漏极拓宽电路如图4-12 所示。由图可见,共漏极拓宽电路
的直流偏置电路与共源极拓宽电路彻底一样,静态作业点的剖析方
法也和共源极拓宽电路一样。但输出电压从源极取出,沟通转路和微变等效电路如图4-13 所示。

1)电压拓宽倍数
由图4-13b可得

输出电阻小等。

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