一 DS18B20经过单总线初始化时序如下:

由上图可见,当主机要操作DS18B20时,需求把总线打底,并继续480us以960us 然后开释总线(即拉高),其时刻消逝15-60us的时分,DS18B20若存在且没有坏的话,它会把总线拉低,并继续60-240us .在这段时刻主机能够检查总线状况,来断定初始化结束 .
二 DS18B20经过单总线读写时序如下:

由上图能够看出,主机要读或写DS18B20时,需求要将总线接低并继续15us,
上面的两个时序是写的时序,主机在接低总线的15us后继续拉低总线,继续15-30us. 在这个时刻内DS18B20采样0,结束0的写入.主机拉低总线15us后拉高总线然后继续15-30us等候DS18B20采样 结束 1的写入.
下面的两个图是读的时序图.主机拉低总线并继续15us后,开释总线.假定DS18B20要输出0就继续拉低总线,若要输出1 就拉高总线,并继续15-30us,等候主机查询总线状况结束 0或许1的读写.
三 DS18B20的ROM操作指令如下:

四 DS18B20的存储器操作指令如下:

五 DS18B20内部9个字节存储器以及E2RAM:

六 DS18B20内部存储温度字节格局:

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