半导体器材损坏的特征

2017-07-18 23:52分类：电子技术阅读：

半导体器材损坏的特征
二、三极管的损坏通常是PN结击穿或开路，其间以击穿短路居多。此外还有两种损坏体现：一是热安稳性变差，体现为开机时正常，作业一段时刻后，发作软击穿；另一种是PN结的特性变差，用万用表R×1k测，各PN结均正常，但上机后不能正常作业，假定用R×10或R×1低量程档测，就会发现其PN结正向阻值比正常值大。丈量二、三极管能够用指针万用表在路丈量，较精确的办法是：将万用表置R×10或R×1档（通常用R×10档，不显着时再用R×1档）在路测二、三极管的PN结正、反向电阻，假定正向电阻不太大（相对正常值），反向电阻满意大（相对正向值），标明该PN结正常，反之就值得置疑，需焊下后再测。这是由于通常电路的二、三极管外围电阻大多在几百、几千欧以上，用万用表低阻值档在路丈量，能够根柢疏忽外围电阻对PN结电阻的影响。