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电工技术基础 怎样采用指针式万用表判断MOS场效应晶体管沟道及导电类型？
判断MOS场效应晶体管沟道及导电类型是基于MOS场效应晶体管的特性来进行的，由MOS场效应晶体管的漏极电流I与栅极和源极之间电压UGs的特性曲线，就可以知道如表2-15所列的特性。根据这些特性，就可以很快地区分MOS场效应晶体管的导电类型。同时，在测量RDS电阻值时，管脚所接表笔的极性可以判断其对应的D、S电极和沟道类型。
1.MOS场效应晶体管沟道及导电类型的测量方法
在实际测量时，采用指针式万用表测量场效应晶体管的D、S极之间的正反两次的电阻值，取测量电阻值较大或∞的这次连接方法不动，然后用短导线脚G极分别与场效应晶体管的其余两引脚短接，取其RDS电阻值较大（或为∞）的连接状态时，按照表2-16所列中的说明，就可以判断场效应晶体管的沟道及导电类型、电极。
2.测量判断时必须注意的问题
测量判断场效应晶体管时，测量人员的双手应预先触摸接地体，以泄放掉静电。应在避开高压静电的场合测量场效应晶体管。
1． 单二极管保护场效应晶体管以万用表MF-500型万用表为例，对于图2-46 (a)所示内含保护二极管的NMOS管
型，用万用表“RXl k”挡测量其管脚间的电阻值时，指针仅出现一次较大幅度的偏转，此时黑表笔连接的管脚即为源极，红表笔连接的为漏极，剩下的引脚即为栅极。
2．双向保护二极管场效应晶体管
对于图2-46 (b)所示管型，判断管脚的方法与上相同，不重叙。
3．双保护二极管场效应晶体管
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