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怎样采用指针式万用表检测内含保护元件效应晶体管的性能好坏?

2017-02-16 09:11分类:电子技术 阅读:

 

    对于图2-46 (c)所示管型,由于其内部连接有两只二极管,故会使万用表指针出现两次较大幅度的偏转。这样,当万用表黑表笔与某引脚连接,红表笔分别与其余两引脚相碰时,指针均会出现偏转,此时与黑表笔相连的引脚即为源极。对于栅极与漏极的判断,可按下面的性能检测方法中的方法进一步确定。
    对MOSFET性能进行检测之前,先应用短导线或镊子将图2-46 (a)、(b)所示类型的NMOS管栅极与源极短接,以泄放掉管内的感应电荷。
    1.测量漏极与源极
    检测时,将黑表笔接触漏极,红表笔接触源极(但手不应碰任何一个管脚,包括散热片),表指针应为。。;
    2.用手捏栅极或短接栅极与漏极
    用手轻轻捏住栅极并停留几秒后,万用表指针应偏转到满刻度。如果偏转角度不明显,可用手指同时捏住栅极与漏极,也可用镊子或导线把栅极与漏极短接。当手指松开或短接点断开后,管子类型不同时,指针反映的情况不一样。对于图2-46 (a)所示管型:万用表的指针会左右偏转但一般不会直接回到o。(原位)的位置。
    对于图2-46 (b)所示管型:万用表的指针会迅速地返回到o。(原位)的位置。
    对于图2-46 (c)所示管型:因未能确定出漏极与源极,可先假定某一引脚为漏极,并与黑表笔相连接,红表笔接触源极,然后用手指捏住假定的栅极,观察表针的偏转情况。对比前后两次指针偏转的幅度,偏转较大的一次黑表笔所接触的那只引脚即为漏极,用手指捏住的引脚即为栅极。

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