通用型光耦与达林顿光耦的怎样精确差异，详细表如今2个方面，咱们能够自个着手测验，很简略就能够差异隔来。

办法之一

　 通用型与达林顿型光耦合器的首要差异是接纳管的电流拓宽系数纷歧样。前者的hFE为几十倍至几百倍，后者可达数千倍，二者相差1～2个数量级。因而，只需精确丈量出hFE值，即可加以差异。在丈量时应留神事项：

（1）由于达林顿型光耦合器的hFE值很高，所以表针两次偏转格数十分挨近。精确读出n1、 n2的格数是本办法要害地址，否则将致使较大的过失。此外，欧姆零点亦应事前调准。

（2）若4N30中的发射管损坏，但接纳管未发现缺陷，则可替代超β管运用。同理，假使4N35中的接纳管无缺无损，也可作通常硅NPN晶体管运用，完毕废物运用。

（3）关于无基极引线的通用型及达林顿型光耦合器，本办法不再适用。主张选用测电撒播输比CTR的办法加以差异。

办法之二
在通用型光耦合器中，接纳器是一只硅光电半导体管，因而在B-E之间只需一个硅PN结。达林顿型否则，它由复合管构成，两个硅PN结串联成复合管的发射结。依据上述纷歧样，很简略将通用型与达林顿型光耦合器差异隔来。详细办法是，将万用表拨至R×100档，黑表笔接B极，红表笔接E极，选用读取电压法求动身射结正向电压VBE。若VBE=0.55～0.7V，便是达林顿型光耦合器。

实例：用500型万用表的R×100档别离丈量4N35、4N30型光耦合器的VBE，丈量数据及定论一同排入表2中。

表2测验效果

类型 RBE（Ω） n`（格） VBE（V） 核算公式 测验定论

4N35 850 23 0.69 VBE=0.03n（V） 通用型

4N30 4.3k 40.5 1.215 VBE=0.03n`（V） 达林顿型

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