依据IGBT的特性，其对驱动电路的恳求如下：
　　(1)供应恰当的正反向电压，使IGBT能牢靠地注册和关断。当正偏压增大时IGBT通态压降和注册损耗均降低，但若ce过大，则负载短路时其c随ce增大而增大，对其安全晦气，运用中选GE《15V为好。负偏电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通，通常选UGE逐个5V为宜。
　　(2)IGBT的开关时刻应概括思考。活络注册和关断有利于行进作业频率，减小开关损耗。但在大电感负载下，IGBT的开频率不宜过大，由于高速开断和关断会发作很高的尖峰电压，及有或许构成IGBT本身或别的元件击穿。
　　(3)IGBT注册后，驱动电路应供应满意的电压、电流幅值，使IGBT在正常作业及过载状况下不致退出丰满而损坏。
　　(4)IGBT驱动电路中的电阻尺G对作业功用有较大的影响，尺。较大，有利于按捺IGBT的电流上升率及电压上升率，但会添加IGBT的开关时刻和开关损20耗；Rc较小，会致使电流上升率增大，使IGBT误导通或损坏。Rc的详细数据与驱动电路的构造及IGBT的容量有关，通常在几欧～几十欧，小容量的IGBT其Rc值较大。
　　(5)驱动电路应具有较强的抗搅扰才干及对IGBT的维护功用。IGBT的操控、驱动及维护电路等应与其高速开关特性相匹配，别的，在未选用恰当的防静电办法状况下，G—E断不能开路。>IGBT驱动电路的条件
　　IGBT 的驱动条件与它的静态和动态特性挨近有关。栅极的正偏压+VGE、负偏压-VGE 和栅极电阻RG 的巨细，对IGBT 的通态电压、开关时刻、开关损耗、接受短路才干以及dVCE/dt等参数都有纷歧样程度的影响。门极驱动条件与器材特性的联络如表1 所示。

　　表1 门极驱动条件与器材特性的联络
　　1、 正偏压+VGE 的影响
　　当VGS 添加时，通态电压降低，IGBT 的注册能量损耗降低，可是VGE 不能随意添加，由于VGE 添加到必定程度往后对IGBT 的负载短路才干及dVCE/dt 电流有晦气影响。
　　2、 负偏压-VGE 的影响
　　负偏压也是很首要的门极驱动条件，它直接影响IGBT 的牢靠作业。尽管-VGE 对关断能耗没有显着影响，背负偏压的增高会使漏极浪涌电流显着降低，然后防止过大的漏极浪涌电流使IGBT 发作不行控的擎住景象。
　　3、 门极电阻RG 的影响
　　门极电阻添加，使IGBT 的注册与关断能耗均添加，门极电阻减小又使di/dt 增大，或许致使IGBT 误导通，一同RG 上的能耗也有所添加。所以通常RG 通常取十几欧到几百欧之间。
　　因而，为了使IGBT 可以安全牢靠得到通和关断，其驱动电路有必要满意一下条件：
　　1.由所以容性输入阻抗，IGBT 对门极电荷集聚很活络，因而要确保有一条低阻抗值得放电回路。
　　2.门极电路中的正偏压应为+12-15V，负偏压-2--10V。
　　3. 驱动电路应与悉数操控电路在电位上严峻阻隔。
　　4.门极驱动电路应尽或许简略有用，具有对IGBT 的自维护功用，并有较强的抗搅扰才干。>IGBT驱动电路的分类
　　IGBT驱动电路分为：别离叉脚式元件的驱动电路；光耦驱动电路；厚膜驱动电路；专用集成块驱动电路

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