和晶振串联的电阻常用来避免晶振被过火驱动。晶振过火驱动的效果是将逐步损耗削减晶振的触摸电镀，这将致使频率的上升，并致使晶振的前期失效，又能够讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。晶振输入输出联接的电阻效果是发作负反响，确保拓展器作业在高增益的线性区，通常在M欧级，输出端的电阻与负载电容构成网络，供应180度相移，一同起到限流的效果，避免反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
电阻的效果是将电路内部的反向器加一个反响回路，构成拓展器，当晶体并在其间会使反响回路的沟通等效依照晶体频率谐振，因为晶体的Q值十分高，因而电阻在很大的计划改动都不会影响输出频率。曩昔，早年实验此电路的安稳性时，试过从100K～20M都能够正常启振，但会影响脉宽比的。
Xin和Xout的内部通常是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体轰动的.因而,在反相器的两头并联一个电阻,由电阻结束将输出的信号反向 180度反响到输入端构成负反响,构成负反响拓展电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联联络,自个想一下是电阻大仍是电阻小对晶体的阻抗影响小大?
下图所示的一个晶振电路中，

电路在其输出端串接了一个2M欧姆的电阻，在其输出端和输入端之直接了一个10M欧姆的电阻，这是因为联接晶振的芯片端内部是一个线性运算拓展器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻构成的网络供应别的180度的相移，悉数环路的相移360度，满意振动的相位条件，一同还央求闭环增益大于等于1，晶体才正常作业。
晶体的Q值十分高, 怎么了解Q值高呢？ 晶体的串联等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体通常等效于一个Q很高很高的电感，恰当于电感的导线电阻很小很小。Q通常抵达10^-4量级。为了避免信号太强打坏晶体的。电阻通常比照大，通常是几百K。串进入的电阻是用来束缚振动崎岖的，并进入的两颗电容依据LZ的晶振为几十MHZ通常是在20~30P摆布，首要用与微调频率和波形，并影响崎岖，并进入的电阻就要看 IC spec了，有的是用来反响的，有的是为过EMI的对策 。但是转化为 并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很大很大。外面并的电阻是并到这个Rp上的，所以，下降了Rp值 -----＞ 增大了Re -----＞ 下降了Q。
经过准确的剖析还能够知道，对频率也会有很小很小的影响。
终究让我总结下晶振串联电子和并联电阻的四大效果：
1、电阻取值影响波形的脉宽。
2、并联下降谐振阻抗，使谐振器易主张；
3、协作IC内部电路构成负反响、移相，使拓展器作业在线性区；
4、限流避免谐振器被过驱；

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