IGBT模块损耗：

IGBT：
通态损耗
开关损耗（注册损耗EON、关断损耗EOFF）
FWD：
通态损耗
开关（反向康复）损耗 ERR
斩波电路均匀损耗的核算：

均匀损耗核算典范
PRHMB100B12, Vcc=600V, Ic=100A, RG=10Ω,VGE=±15V, f=10kHz, 导通比 :3:1
通态损耗 : 100(A)×2.2*1(V)×3/4＝160(W)
注册损耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)＝95(W)
关断损耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)＝95(W)
IGBT 损耗估量 : 350(W)
通态损耗 : 100(A)×1.9*2(V)×1/4＝47.5(W)
开关（反向康复）损耗 : 8.5(mJ)×10(kHz)＝85(W)
FWD 损耗估量 : 132.5(W)
模块损耗估量 482.5(W)
*1 Ic=100A, TJ=125℃时的集电极-发射极之间的丰满压降
*2 IF=100A, TJ=125℃ 时的FWD正向电压
有关于外壳温度的结温上升：

有关于环境温度、散热片温度的外壳温度上升：
触摸热阻 Rth(c-f)，散热片热阻 Rth(f-a)

外壳温度和散热片/周围温度的间隔
Tc－Tf Rth(c-f)×482.5
Tf－Ta Rth(f-a)×482.5

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