mos场效应管Vgs参数留神事项
mos场效应管Vgs参数留神事项
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。首要有两品种型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由大都载流子参加导电,也称为单极型晶体管。它归于电压操控型半导体器材。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态计划大、易于集成、没有二次击穿景象、安全作业区域宽等利益,现已变成双极型晶体管和功率晶体管的健旺竞赛者。
场效应管(FET)是运用操控输入回路的电场效应来操控输出回路电流的一种半导体器材,并以此命名。
由于它仅靠半导体中的大都载流子导电,又称单极型晶体管。
为啥要用两个mos管呢?
由于pwrenvcc是1.8V 逻辑电压 直接驱动s极接3.3V的gn2305的话会致使vgs耐久大于vgs(th)使得 gn2305一导游通
所以就用了一个spn7002
假定pwrenvcc是3.3V逻辑电压就能够直接驱动,假定我没猜错的话!
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