TLP521光耦导通实验笔记
3.5v～24v 以为是高电平，0v～1.5v以为是低电平
1、0v～1.5v以为是低电平，运用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降，吃掉1.4V摆布；
2、24V是最高电压，不能在最高电压的时分，光耦经过的电流太大；所以选用2K的电阻；光耦作业在大约10mA的电流，可以确保安稳牢靠作业n年以上；
3、3.5V以上是高电平，为了赶快进入光敏三极管的饱满区，要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大；因而选用10K；一同要思考到ctr最小为50％；
1、发光管端：
实验室电源（0～24V）->2K->1N4001->TLP521-1(1)->TLP521-1(2)-gnd1
2、光敏三极管：
实验室电源（DC5V）->10K->TLP521-1(4)->TLP521-1(3)-gnd2
3、万用表
直流电压挡20V
万用表+ -> TLP521-1(4)
万用表- -> TLP521-1(3)
实验效果
输入电源 万用表电压(V)
1.3V 5
1.5V 4.8
1.7V 4.41
1.9V 3.58
2.1V 2.94
2.3V 1.8
2.5V 0.58
2.7V 0.2
2.9V 0.19
3.1V 0.17
3.3V 0.16
3.5V 0.16
5V 0.13
24V 0.06
光耦电流传输比的测验模型
我一向在找光耦电流传输比的测验模型，可是如同都没有看到精确的；
1、要是发光管没有电流，那么光敏三极管处于到状况；
2、要是发光管有电流，那么依据电流传输比核算，三极管会流过一个电流；
3、假定Ic=1mA；那么，
假定Vc/Rc=1mA， 那么三极管底子上进入饱满导通状况；
假定Vc/Rc=0.5mA，那么三极管必定进入了饱满导通状况；
假定Vc/Rc=2mA， 那么三极管进入了拓展状况；
当然这是一个大体上的核算方法；还要思考到Vce的值；可是由于一样的一品种型一个批次的光耦，它们的电流传输比离散性很大，所以大体上核算一下即可；
实习上的光耦的上拉电阻的选值，要依据Ib、电流传输比、Vcc来大体上核算一下，然后依据工程状况而定；
假定是传递开关量信号，那么，进入深度饱满就可以了；
假定是要传送频率的信号，那么，要细心的挑选Ib和Rc，找到一个最适宜的参数；
啥叫深度饱满状况？
光耦的Vce刚刚=0.2V的时分，可以以为是进入了饱满的状况；
把这个时分的Ib进步到2倍，那么，必定是进入了饱满的状况，至所以不是深度饱满，要看对深度饱满的界说；
我以为，n=3就可以看作是深度饱满了；
光耦隔绝的参数是啥进程来核算的
光耦隔绝首要是思考几个值：
1、二极管的驱动电流
2、CTR
3、光敏三极管的上拉电阻
4、光耦的速度
5、思考隔绝信号的频率值
通常的开关量信号的隔绝，运用低速便宜的光耦只需求思考一下可以确保充沛饱满和截止；
高速信号的隔绝，需求思考到选用高速光耦；
这个时分，首要是依照datasheet来挑选参数；

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