晶闸管坏的缘故有什么

　　1、工作电压穿透

　　晶闸管因无法承担工作电压而毁坏，其集成ic中有一个光滑的小圆孔，有时候需要扩张镜才可以看到。其根本原因可能是管道自身抗压降低或被电源电路切断时造成的高电压穿透。

　　2、电流量毁坏

　　电流量毁坏的印痕特点是集成ic被烧制一个凹痕，且不光滑，其具体位置在避开操纵极上。

　　3、电流量上升幅度毁坏

　　其印痕与电流量毁坏同样，而其具体位置在操纵极周边或就在操纵极上。

　　4、边沿毁坏

　　他出现在集成ic内孔倒圆角处，有细微光滑小圆孔。用高倍放大镜可见到倒圆角上面有细细地内部金属物刮痕。这也是生产厂家安裝不当所产生的。它致使工作电压穿透。

　　怎样维护晶闸管不被毁坏

　　1、过压维护

　　可控硅对过压很比较敏感，当正方向工作电压超出其断态反复最高值工作电压UDRM一定值时可控硅便会欺诈通，引起电路故障；当另加反方向工作电压超出其反方向反复最高值工作电压URRM一定值时，可控硅便会马上毁坏。因而，务必科学研究过压的发生缘故及抑止过压的方式 。

　　过压造成的因素主要是提供的额定功率或体系的储能技术发生了强烈的转变，促使系统软件赶不及变换，或是系统软件中原本堆积的电磁波动能赶不及消失而导致的。关键发觉为遭雷击等外部冲击性造成的过压和按钮的启闭造成的影响工作电压二种种类。由遭雷击或真空断路器姿势等造成的过压是几微秒至几ms的工作电压顶峰，对可控硅是很危险的。

　　2、过电流量维护

　　因为半导体元器件体型小、热导率小，尤其像可控硅这类高电压大工作电流的电力电子器件，结温务必遭受严苛的操纵，不然将遭至完全毁坏。当可控硅中穿过高于额定电流的交流电时，发热量赶不及释放，促使结温快速上升，最后将造成 结层被烧毁。

　　造成过交流电的因素是丰富多彩的，比如，变流器设备自身可控硅毁坏，开启电源电路出现常见故障，自动控制系统出现问题等，及其沟通交流电源电压过高、过低缺乏相，负荷负载或短路故障，邻近机器设备问题危害等。

　　可控硅过电流量维护方式最常见的是快速熔断器。因为一般断路器的融断特点姿势很慢，在断路器并未融断以前可控硅已被烧毁；因此无法用于维护可控硅。快速熔断器由银质熔断器埋入石英砂内，融断時间非常短，能够用于维护可控硅。

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