碳碳复合材料肖特基二极管的优势

碳碳复合材料SiC的可带间距为硅的2.8倍（宽禁带），做到3.09电子伏。其绝缘层击穿场强为硅的5.3倍，达到3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k。

它与硅半导体器件一样，能够 做成结型元器件、场效元器件、和金属材料与半导体材料触碰的肖特基二极管。

其优势是：

（1）碳碳复合材料单自由电子元器件漂移区薄，开态电阻器小。比硅元器件小100-300倍。因为有小的通断电阻器，碳碳复合材料电力电子器件的正方向耗损小。

（2）碳碳复合材料电力电子器件因为具备高的穿透静电场而具备高的击穿电压。比如，商业的硅肖特基的工作电压低于300V，而第一个商业的碳碳复合材料肖特基二极管的击穿电压已做到600V。

（3）碳碳复合材料有高的导热系数，因而碳碳复合材料电力电子器件有低的结到自然环境的传热系数。

（4）碳碳复合材料元器件可工作中在高溫，碳碳复合材料元器件现有工作中在600oC的报导，而硅元器件的较大 操作温度仅为150oC.

（5）碳碳复合材料具备很高的抗辐照度工作能力。

（6）碳碳复合材料电力电子器件的正反面向特点随溫度和时间段的改变不大，稳定性好。

（7）碳碳复合材料元器件具备非常好的反向恢复特点，反向恢复电流量小，开关损耗小。碳碳复合材料电力电子器件可工作中在高频率（》20KHz）。

（8）碳碳复合材料元器件为降低电力电子器件容积和减少线路耗损做出了主要奉献。

碳碳复合材料肖特基二极管的运用

SiC肖特基二极管关键运用于油电混合、光伏逆变器、挖矿机开关电源、直流焊机和汽车充电桩。

碳碳复合材料肖特基二极管（SiCSBD）是一种单级型元器件，选用结能隙肖特基二极管构造（JBS），因而相较于传统式的硅快修复二极管（SiFRD），碳碳复合材料肖特基二极管具备满意的反向恢复特点。能够 合理减少反方向泄露电流，具有更强的耐髙压工作能力。另一个关键的特征是碳碳复合材料肖特基二极管具备正的温度系数，伴随着溫度的升高电阻器也逐步升高，这与硅FRD恰好反过来。这促使碳碳复合材料肖特基二极管特别适合串联好用，提升了操作系统的安全系数和稳定性。在元器件从正指导通往反方向阻隔变换时，基本上沒有反向恢复电流量，反向恢复時间低于20ns，乃至600V10A的碳碳复合材料肖特基二极管的反向恢复時间在10ns之内。因而碳碳复合材料肖特基二极管能够 工作中在高些的頻率，在同样工作频率下有着更好的高效率。
责编：YYX

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