单边可控硅的特性和原理

单边可控硅很像一只二极管，但比二极管多了一个操纵极G，它的通断能够操纵。

　　试验 可控硅导电性试验

　　（1）流程：

　　1）按图所显示，在电路板上接好原理图。

　　2）盖上S1，断掉S2，这时，灯亮了/没亮。（没亮）

　　3）将S1盖上，S2也盖上，这时，灯亮了/没亮。（亮）

　　4）将S2断掉，灯灭掉/不灭掉。（不灭掉）

　　5）断掉S1，这时，灯灭掉。

　　6）将可控硅接反，不管S1、S2断掉或是合闭，灯一直没亮/亮。（没亮）

　　（2）试验结果：

　　1）通断标准：

　　① 可控硅A、K中间正方向偏压。

　　② 可控硅G、K中间也务必正方向偏压。

　　2）可控硅通断后，减少或去除操纵极工作电压时，可控硅依然通断（UGK无效）。

　　3）通断后的可控硅要关闭时，务必减少其阳极氧化电流量，使其低于可控硅的某一个电流。

　　（3）原理

　　1）可控硅具备弱电安装开启数据信号操纵弱电（IAK）的功效。

　　2）单边可控硅的特征是由它的内部构造决策，从闭合电路中得知，

　　① 可视作由NPN晶体三极管和PNP晶体三极管构成。

　　② A和K中间加顺向工作电压，V1、V2不通断，可控硅关闭。

　　可控硅通断时，总损耗约为1 V上下。

单边可控硅基本参数

　　（1）额定值正方向均值电流量

　　界定：在要求的工作温度和排热情况下，容许根据阳极氧化和负极中间的电流量均值。

　　（2）保持电流量

　　界定：在要求的工作温度、操纵极断掉的标准下，确保可控硅处在通断情况所须要的较小正方向电流量，一般为几mAh至几十mAh。

　　（3）操纵极开启工作电压和电流量

　　界定：在工作温度及一定的顺向工作电压情况下，使可控硅从关闭到通断，操纵极需要的较小正方向电流和电流量。

　　一般状况下，小输出功率可控硅开启工作电压约为1 V上下，开启电流量零点几mAh至几mAh，中输出功率之上可控硅开启工作电压约为几伏至几十伏，电流量为几mAh至好几百mAh。

　　（4）正方向转折点工作电压

　　操纵极关闭，使可控硅穿透的阳极氧化和负极所施加的工作电压。

　　（5）反方向电阻值最高值工作电压

　　这也是安全工作的最高工作电压，一般可控硅的额定电流是指最高值工作电压。

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