在电子线路中，MOS管和IGBT管会经常会出现，他们都能够做为电子开关来应用，MOS管和IGBT管在外观及特点主要参数也非常类似，那为啥有一些电源电路用MOS管？而有一些电源电路用IGBT管？

下边咱们就来了解一下，MOS管和IGBT管究竟有什么不同吧！

什么叫MOS管？

场效管关键有这两种种类，分别是结型场效管（JFET）和绝缘层栅场效管（MOS管）。

MOS管即MOSFET，汉语全名是金属材料-金属氧化物半导体材料场效晶体三极管，因为这类场效管的栅压被电缆护套防护，因此又叫绝缘层栅场效管。

MOSFET又可分成N沟耗光型和加强型；P沟耗光型和加强型四大类。

▲ MOSFET类型与电路符号

有的MOSFET內部会有一个二极管，这也是体二极管，或是叫内寄生二极管、续流二极管。

有关内寄生二极管的功效，有2种表述：

1、MOSFET的内寄生二极管，功效是避免 VDD过电压的情形下，烧毁MOS管，由于在过电压对MOS管产生影响以前，二极管先反方向穿透，将大电流量立即到地，进而防止MOS管被烧毁。

2、避免 MOS管的源极和漏极接反时烧毁MOS管，还可以在电源电路有反方向感生电流工作电压时，为反方向感生电流工作电压给予通道，防止反方向感生电流工作电压穿透MOS管。

MOSFET具备输入电阻高、电源开关速度更快、耐热性好、工作电压操纵电流量等特点，在线路中，能够作为放大仪、开关元件等主要用途。

什么叫IGBT？

IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘层栅双极型晶体三极管，是由晶体三极管和MOS管构成的复合性半导体元器件。

IGBT做为新式电子器件半导体元器件，具备输入电阻高，工作电压操纵功能损耗低，控制回路简易，耐髙压，承担电流量大等特点，在各类电子线路中得到极普遍的运用。

IGBT的电路符号迄今并没有统一，画电路原理图时一般是使用三极管、MOS管的标记，这时候能够从工作原理上标记的规格来判定是IGBT或是MOS管。

与此同时还需要留意IGBT是否有体二极管，图上沒有标明并不表明一定沒有，除非是官方网材料有尤其表明，不然这一二极管全是普遍存在的。

IGBT內部的体二极管并不是内寄生的，只是为了更好地维护IGBT敏感的方向抗压而尤其设定的，又称之为FWD（续流二极管）。

分辨IGBT內部是不是有体二极管也并不艰难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，假如IGBT是好的，C、E两方面测得阻值无穷，则表明IGBT沒有体二极管。

IGBT特别适合使用于如交流电动机、变频调速器、开关电源电路、照明灯具电源电路、牵引带传动系统等行业。

MOS管和IGBT的结构特点

MOS管和IGBT管的构造如下图所显示。

IGBT是利用在MOSFET的漏极上增加层而产生的。

IGBT的理想化闭合电路如下图所显示，IGBT具体便是MOSFET和晶体三极管三极管的组成，MOSFET存有通断电阻器高的缺陷，但IGBT摆脱了这一缺陷，在髙压时IGBT仍具备较低的通断电阻器。

此外，类似输出功率容积的IGBT和MOSFET，IGBT的速率有可能会慢于MOSFET，由于IGBT存有关闭托尾時间，因为IGBT关闭托尾时间长，过流保护時间还要延长，进而会影响到电源开关頻率。

挑选MOS管或是IGBT？

在线路中，采用MOS管做为输出功率开关管或是挑选IGBT管，这也是技术工程师常碰到的难题，假如从操作系统的工作电压、电流量、转换输出功率等要素做为考虑到，能够归纳出以下几个方面：

也可从下面看得出二者采用的标准，黑影一部分地区表明MOSFET和IGBT都能够采用，“？”表明当今加工工艺还不能做到的水准。

总体来说，MOSFET优势是高频率特点好，能够输出功率能够做到好几百kHz、上MHz，缺陷是通断电阻器大在髙压大电流量场所功能损耗很大；而IGBT在低頻及很大输出功率场所下表現非凡，其通断电阻器小，抗压高。

MOSFET运用于开关电源电路、电子镇流器、高频率电磁感应加热、高频率逆变焊机、通信电源这些高压电源行业；IGBT集中化运用于悍机、逆变电源、变频调速器、电镀工艺电解电源、超声频电磁感应加热等行业。

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