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双向可控硅使用准则_触发电路_工作原理图_双向可控硅测量好坏

2021-11-16 09:10分类:电子元器件 阅读:

 

  双向可控硅详细介绍

  “双向可控硅”:是在一般晶闸管的根基上进步而成的,它不但能替代两个反旋光性串联的晶闸管,并且仅需一个开启电源电路,是非常满意的沟通交流电源开关元器件。其英文名字TRIAC即三端双向交流电源开关之意。

  两方面双向可控硅用万用表测量优劣

  方式一: 精确测量极间电阻器法。将万用电表放置皮R×1k档,假如测出T2-T1、T2-G中间的正反面向电阻器贴近∞,而数字万用表放置R×10档测出T1-G中间的正反面向电阻器在几十欧母 时,就表明双向可控硅是好的,能够应用;相反,若测出T2-T1,、T2-G中间的正反面向电阻器较小甚或等于零.而Tl-G中间的正反面向电阻器不大或贴近于零时.就表明双向可控硅的使用性能受到影响或穿透毁坏。不可以应用;假如测出T1-G中间的正反面向电阻器非常大(贴近∞)时,表明操纵极G与主电级T1中间內部接触不良现象或引路毁坏,也无法应用。

  方式二: 查验开启通断工作能力。数字万用表放置R×10档:①如图所示,1(a)所显示,用黑直流电流表接主电级T2,红直流电流表接T1,即给T2加顺向工作电压,再用路程将G与T1(或T2)接线一下后离去,假如表头表针发生了很大偏移并滞留在一固定不动部位,表明双向可控硅中的一部分(在其中一个单向可控硅)是好的,如图所示1(b)所显示,改黑直流电流表接主电级T1,红直流电流表接T2,即给T1加正方向工作电压,再用路程将G与T1(或T2)接线一下后离去,假如結果跟上面一样,也证实双向可控硅中的另一部分(在其中的一个单向可控硅是好的。检测到止表明双向可控硅全部全是好的,即在2个方位(在不一样化学性质的开启工作电压证)均能开启通断。

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  方式三:查验开启通断工作能力。如图2所显示.取一只10uF上下的电解电容,将万用 表放置R×10k档(V工作电压),对电解电容电池充电3~5s后用于替代图1中的路程,即运用电力电容器上所充的工作电压做为激发数据信号,随后再将万用电表放置R×10档,照图2(b)联接好后完成检测。检测时,电容器C的旋光性可随意联接,一样是触碰一下后离去,观查表头表针偏移状况,假如检测结论与“方式二’同样,就证实双向可控硅是好的。

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  双向可控硅开启电源电路

  双向可控硅是一种输出功率半导体元器件,也称双向晶闸管,在51单片机控制技术中,可做为输出功率控制器件,因为双向可控硅沒有反方向抗压难题,控制回路简易,因而非常适合做沟通交流无触点开关应用。双向可控硅接入的一般全是一些输出功率很大的大功率电器,且联接在弱电互联网中,其开启电源电路的抗干扰性难题很重要,一般 全是根据光耦合器将单片机设计控制技术中的开启数据信号载入到晶闸管的操纵极。为减少推动效率和晶闸管开启时造成的影响,交流电路双向可控硅的开启常选用过零开启电源电路。过零开启就是指在工作电压为零或零周边的一瞬间接入。因为选用过零开启,因而以上电源电路还必须正弦交流电过零检验电源电路。

  1 过零检验电源电路

  电路原理如图所示1 所显示,为了更好地提高工作效率,使开启单脉冲与交流电流同歩,规定每过大半个交流电流的周期时间輸出一个开启单脉冲,且开启单脉冲工作电压应超过4V ,脉冲宽度应超过20us.图上BT 为变电器,TPL521 - 2 为光耦合器,起隔离作用。当正弦交流电压贴近零时,光耦合器的2个发光二极管截至,三极管T1基极的参考点电阻器电位差使之通断,造成负差分信号,T1的输入输出端收到单片机设计80C51 的外部中断0 的键入脚位,以造成终断。在终断服务项目程序段中应用计时器总计移相時间,随后传出双向可控硅的同歩开启数据信号。过零检验电源电路A、B 二点工作电压輸出波型如图2 所显示。

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  2 过零开启电源电路

  电源电路如图所示3所显示,图上MOC3061为光学藕合双向可控硅控制器,也归属于光耦合器的一种,用于推动双向可控硅BCR 而且具有隔离的作用,R6 为开启功率电阻,R7为BCR门极电阻器,避免误开启,提升抗干扰性。当单片机设计80C51 的P1. 0 脚位輸出负差分信号时T2 通断,MOC3061 通断,开启BCR 通断,接入沟通交流负荷。此外,若双向可控硅接理性沟通交流负荷时,因为电源电压超前的负荷电流量一个相角,因而,当负荷工作电流为零时,电源电压为反方向工作电压,再加上交流电流自感电动势el 功效,促使双向可控硅承担的电流值远远地超出电源电压。尽管双向可控硅反指导通,但非常容易穿透,故务必使双向可控硅能经受这类反方向工作电压。一般在双向可控硅两方面间串联一个RC阻容吸取电源电路,完成双向可控硅过压维护,图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸取电源电路。

  双向可控硅构造电路原理图

  双向可控硅归属于NPNPN五层元器件,三个电级分别是T1、T2、G。虽然从类型上可将双向可控硅当做二只一般晶闸管的组成,但其实它是由7只晶体三极管和多个电阻器产生的输出功率集成化元器件。

  因该元器件能够双指导通,故除门极G之外的两种电级通称为主导接线端子,用T1、T2。表明,不会再区分成阳极氧化或负极。其优点是,当G极和T2极相比于T1,的电流均为发动机正时,T2是阳极氧化,T1是负极。相反,当G极和T2极相比于T1的电流均为负时,T1变为阳极氧化,T2为负极。双向可控硅因为正、反方向特点曲线图具备对称,因此 它可在一切一个方位通断。

  对比于单向可控硅,双向可控硅在机理上最高的差异便是能双指导通,不会再有阳极氧化负极之分,取代它的以T1和T2,其结构示意图以下图2(a)所显示,如果不考虑到G级的不一样,把它切分成图2(b)所显示,能够看得出等同于2个单向可控硅反方向串联而成,如图2(c)所显示联接。

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