肖特基二极管的元器件标记

　　特基二极管是以其发明者肖特基博士研究生（Schottky）取名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的通称。SBD并不是运用P型半导体与N型半导体触碰产生PN结基本原理制造的，只是运用金属材料与半导体材料触碰产生的金属材料－半导体材料结基本原理制造的。因而，SBD也称之为金属材料－半导体材料（触碰）二极管或外表能隙二极管，它是一种热自由电子二极管。

　　肖特基二极管符号及特点以下：

　　肖特基二极管的优点和缺点

　　优势：

　　肖特基二极管具备电源开关頻率高和正方向压减少等优势，但其反方向击穿电压较为低，大多数不高过60V，最大仅约100V，以至于限定了其运用范畴。像在开关电源电路（SMPS）和功率因素校准（PFC）电源电路中输出功率控制开关元件的续流二极管、变电器次级线圈用100V之上的高频率整流二极管、RCD油压缓冲器电源电路选用600V～1.2kV的快速二极管及其PFC变压用600V二极管等，仅有应用迅速修复外延性二极管（FRED）和超迅速修复二极管（UFRD）。UFRD的反向恢复時间Trr也在20ns之上，压根无法达到像太空站等行业用1MHz～3MHz的SMPS必须。即便 是硬电源开关为100kHz的SMPS，因为UFRD的通断耗损和开关损耗均很大，壳温很高，要用很大的热管散热器，进而使SMPS容积和净重提升，不符微型化和轻巧化的发展趋向。因而，发展趋势100V之上的髙压SBD，一直是我们探讨的问题和了解的网络热点。近些年，SBD已获得了颠覆性的进度，150V和 200V的髙压SBD早已发售，应用新材料制造的超出1kV的SBD也研制，进而为其运用引入了新的朝气与魅力。

　　缺陷：

　　肖特基二极体较大 的缺陷是其反方向偏压较低及反方向泄露电流偏大，像应用硅及金属材料为原材料的肖特基二极体，其反方向偏压额定值抗压最大只到 50V，而反方向漏电流为正溫度特点，非常容易伴随着气温上升而急聚增大，操作实务设计方案上特别注意其热失灵的隐患。为了更好地防止以上的难题，肖特基二极体具体应用时的反方向偏压都是会比其额定电流小许多。但是肖特基二极体的技术性也已经有了发展，其反方向偏压的额定电流较大 能够 到200V。

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