与SiC和GaN对比，β-Ga2O3有希望以成本低生产制造出高抗压且低亏损的功率半导体元器件，因此造成了很大关心。突破口来源于日本通信网络科学研究组织等的科研团队开发设计出的β-Ga2O3晶体三极管。下边请这种科学研究团队的专业技术人员，以毕业论文方式介绍一下β-Ga2O3的特性、产品研发成效及其以后的发展趋势。

　　大家一直在专注于运用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体元器件（下称输出功率元器件）的产品研发。Ga2O3与做为新一代功率半导体原材料推动开发设计的SiC和GaN对比，有希望以成本低生产制造出高抗压且低亏损的输出功率元器件。其根本原因取决于原材料特点优异，例如带隙比SiC及GaN大，并且还可运用可以高质量且成本低生产制造单结晶体的“水溶液生长发育法”。

　　在大家看准的输出功率元器件运用中，应用Ga2O3研发了“MESFET”（metal-semiconductorfield effect transistor，金属材料半导体材料场效晶体三极管）。虽然是未产生防护膜（钝化处理膜）的比较简单的结构，但试制品表明出了抗压高、漏电流小的特点。而应用SiC及GaN来制作同样结构的元器件时，要想完成像试制品那样的特点，则是十分难的。

　　尽管产品研发尚处在前期环节，但人们觉得Ga2O3的发展潜力极大。本文章将详细介绍Ga2O3在输出功率元器件主要用途层面的实用价值、产品研发成效，及其以后的方向等。

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