MOS管的按钮特点

1、静态数据特点

MOS管做为电子开关，一样是运行在截至或通断二种情况。因为MOS管是工作电压控制部件，因此 关键由栅源工作电压uGS决策其运行状态。

工作中特点以下：

uGS打开工作电压UT：MOS管工作中在截至区，漏源电流量iDS基本上为0，输出电压uDS≈UDD，MOS管处在“断掉”情况，其闭合电路如下图所显示。

uGS》打开工作电压UT：MOS管工作中在导通区，漏源电流量iDS=UDD/（RD rDS）。在其中，rDS为MOS管导通时的漏源电阻器。输出电压UDS=UDD·rDS/（RD rDS），假如rDS《RD，则uDS≈0V，MOS管处在“接入”情况，其闭合电路如上图所述（c）所显示。

2、动态性特点

MOS管在通断与截至二种情况产生变换时一样存有衔接全过程，但其动态性特点关键在于与电源电路相关的杂散电容器充、充放电需要的時间，而管道自身导通与截至时正电荷累积和消退的时间不大的。下面的图各自提供了一个NMOS管构成的电源电路以及动态性特点平面图。

当键入工作电压ui由高降低，MOS管由导通情况转换成为截至模式时，开关电源UDD根据RD向杂散电容器CL电池充电，电池充电稳态值τ1=RDCL，因此 ，输出电压uo要根据一定延迟才由低电频转为上拉电阻。

当键入工作电压ui由低变高，MOS管由结束情况转换成为通断模式时，杂散电容器CL上的正电荷根据rDS开展充放电，其充放电稳态值τ2≈rDSCL。由此可见，输出电压Uo也需要历经一定延迟才可以转化成低电频。但由于rDS比RD小得多，因此 ，由截止到通断的变换時间比由导通往截至的变换時间要短。

因为MOS管导通时的漏源电阻器rDS比晶体三极管的饱和状态电阻器rCES要大很多，漏极外接电阻器RD也比晶体三极管集电结电阻器RC大，因此 ，MOS管的充、充放电時间较长，使MOS管的按钮速率比晶体三极管的按钮的速度低。但是，在CMOS电源电路中，因为电池充电控制电路和充放电电源电路全是低阻电源电路，因而，其充、充放电全过程都非常快，进而使CMOS电源电路有较高的按钮速率。

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