光电耦合器的性能参数

　　一、键入特点

　　光耦合器的键入特点具体也就是其內部发光二极管的特点。普遍的主要参数有：

　　1. 正方向工作标准电压Vf（Forward Voltage）Vf就是指在给出的工作中电流量下，LED自身的损耗。普遍的小输出功率LED一般以If=20mA来检测正方向工作标准电压，自然不一样的LED，检测标准和检测效果也会不一样。

　　2. 反方向工作电压Vr（Reverse Voltage ）

　　就是指LED能够承担的最高逆向工作电压，超出此反方向工作电压，很有可能会毁坏LED。在应用沟通交流单脉冲推动LED时，要需注意不必超出反方向工作电压。

　　3. 反方向电流量Ir（Reverse Current）

　　一般指在较大逆向工作电压状况下，穿过LED的方向电流量。

　　4. 容许功能损耗Pd（Maximum Power Dissipation）

　　LED能够承担的最高功能损耗值。超出此功能损耗，很有可能会毁坏LED。

　　5. 管理中心光波长λp（Peak Wave Length）

　　就是指LED所传出光的核心光波长值。光波长立即决策光的颜色，针对两色或混色LED，会有哪些不一样的核心光波长值。

　　6. 正方向工作中电流量If（Forward Current）

　　If就是指LED一切正常发亮时需穿过的正方向电流。不一样的LED，其容许穿过的最大的电流量也会不一样。

　　7. 正方向单脉冲工作中电流量Ifp（Peak Forward Current）

　　Ifp就是指穿过LED的正方向浪涌电流值。为确保使用寿命，一般 会选用单脉冲方式来推动LED，一般LED说明书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度，pwm占空比为1/10的浪涌电流来估算的。

　　二、频率特性

　　光耦合器的频率特性具体也就是其內部光敏三极管的特点，与一般的三极管相近。普遍的主要参数有：

　　1. 集电结电流量Ic（Collector Current）

　　光敏三极管集电结所穿过的电流量，一般表明其最高值

　　2. 集电结-发射极工作电压Vceo（C-E Voltage）

　　集电结-发射极能够承担的工作电压。

　　3. 发射极-集电结工作电压Veco（E-C Voltage）

　　发射极-集电结能够承担的工作电压

　　4. 反方向截至电流量Iceo

　　5. C-E饱和状态工作电压Vce（sat）（C-E SaturaTIon Voltage）

　　四、传送特点：

　　1．电流量传送比CTR（Current Transfer Radio）

　　2．增益值Tr （Rise TIme）& 上升幅度Tf（Fall TIme）

　　其他主要参数例如操作温度、损耗输出功率等不会再一一敷述。

　　三、防护特点

　　1．入出间防护工作电压Vio（IsolaTIon Voltage）

　　光耦合器键入端和輸出端中间绝缘层抗压值。

　　2．入出间防护电容器Cio（Isolation Capacitance）：

　　光耦合器件键入端和輸出端中间的电容器值

　　3．入出间防护电阻器Rio：（Isolation Resistance）

　　半导体材料光耦合器键入端和輸出端中间的接地电阻值。光耦合器的性能参数具体有发光二极管正方向损耗VF、正方向电流量IF、电流量传送比CTR、键入级与輸出级中间的接地电阻、集电结-发射极反方向击穿电压V（BR）CEO、集电结-发射极饱和状态损耗VCE（sat）。除此之外，在传送模拟信号时还需考虑到增益值、上升幅度、时间延迟和储存時间等主要参数。

　　电流量传送比为光耦合器的主要主要参数，一般用直流电流传送比以表明。当输出电压维持稳定时，它相当于直流电輸出电流量IC与直流电键入电流量IF的百分数。

　　应用光耦合器主要是为了能给予键入电源电路和输入输出电源电路间的防护，在制定电源电路时，务必遵循以下标准：所选择的光耦合器件务必合乎中国和国际性的相关防护击穿电压的规范；由美国埃索柯姆（Isocom）企业、英国FAIRCHILD生产制造的4N××系列产品（如4N25、4N26、4N35）光耦合器，在我国运用地十分广泛。能够用以单片机设计的輸出防护；所选择的光电耦合器元器件务必具备较高的耦合系数。

　　下列为光耦合器的常见主要参数：

　　反方向电流量IR：在被测管两边加要求反方向工作标准电压VR时，二极管中穿过的电流量。

　　反方向击穿电压VBR：被测管根据的方向电流量IR为标准值时，在磁极间所造成的电流。

　　正方向损耗VF：二极管根据的正面电流量为标准值时，正负中间所造成的电流。

　　正方向电流量IF：在被测管两边加一定的顺向工作电压时二极管中穿过的电流量。结电容CJ：在要求偏压下，被测管两边的电容器值。

　　反方向击穿电压V（BR）CEO：发光二极管引路，集电结电流量IC为标准值，集电结与发送集间的电流。

　　輸出饱和状态损耗VCE（sat）：发光二极管工作中电流量IF和集电结电流量IC为标准值时，并维持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术性标准中要求）集电结与发射极相互间的电流。

　　反方向截至电流量ICEO：发光二极管引路，集电结至发射极间的工作电压为标准值时，穿过集电结的工作电流为反方向截至电流量。

　　电流量传送比CTR：输出管的工作标准电压为标准值时，輸出电流量和发光二极管正方向电流量之之比电流量传送比CTR。

　　单脉冲增益值tr，上升幅度tf：光耦合器在要求工作中情况下，发光二极管键入要求电流量IFP的脉冲信号波，輸出端管则导出相对应的脉冲信号波，从輸出脉冲前沿力度的10%到90%，所需的时间为单脉冲增益值tr。从輸出脉冲后沿力度的90%到10%，所需的时间为单脉冲上升幅度tf。

　　传送时间延迟tPHL，tPLH：从键入脉冲前沿力度的50%到輸出单脉冲脉冲信号降低到1.5V时需需的时间为传送时间延迟tPHL。从键入脉冲后沿力度的50%到輸出单脉冲脉冲信号升高到1.5V时需需的时间为传送时间延迟tPLH。

　　入出间防护电容器CIO：光耦合器件键入端和輸出端中间的电容器值。入出间防护电阻器RIO：半导体材料光耦合器键入端和輸出端中间的接地电阻值。入出间防护工作电压VIO：光耦合器键入端和輸出端中间绝缘层抗压值.

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