磁敏二极管的原理

　　当磁敏二极管未遭受外部电磁场效果时，另加正偏压，如图所示（a）所显示，则有很多的空穴从P区根据I区进到N区，与此同时还有很多电子器件引入P区，产生电流量。仅有小量电子器件和空穴在I区复合型掉。

　　当磁敏二极管遭受外部电磁场H’（正方向电磁场）功效时，如图所示（b）所显示，则电子器件和空穴遭受洛伦兹力的作用而向r区偏移，因为r区的电子器件和空穴复合型消退速率比光洁面I区快，因而产生的电流量因复合型速度更快而成小。

　　当磁敏二极管遭受外部电磁场H—（反方向电磁场）功效时，如图所示（c）所显示，电子器件—空穴对遭受洛伦兹力功效向光洁面偏移，电子器件—空穴的复合型率显著威小，因此产生的工作电流增大。（磁敏二极管反方向参考点时，仅穿过很细微电流量，基本上与电磁场不相干。）

　　运用磁敏二极管在磁化强度的改变下，其电流量产生变化，便可完成光电变换。并且由上由此可见腐复合型面与光洁面的复合型串区别愈大，磁敏二极管的敏感度也就越高。

　　磁敏二极管适用什么场所

　　磁敏二极管是使用电子器件与空穴双向注人效用及复合型效用基本原理工作中的，具备很高的敏感度。因为磁敏二极管在正、负电磁场的作用下，其輸出数据信号增加量的方位不一样，因而运用这一点能够 辨别磁场力。磁敏二极管是一种新式的光电变换元器件。这类元器件比霍尔传感器的检测精确度高，且具备体型小、回应快、无触点开关、功率大及线形特点好的优势。该元件在磁性检测、无触点开关、位移测量、转速比精确测量以及他各种各样自动化机械上取得了普遍的运用。

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