磁敏二极管特性

　　磁敏二极管内部构造与一般二极管不一样，在P区与N区中间有一线度远高于自由电子蔓延长短的高纯度空间电荷区——1区，在1区的一个侧边上，嵌有一自由电子高复合型区——R区，其基本上构造如图所示1所显示。该管选用电子器件与空穴双引入效用及复合型效用来操控穿过PN结的电流量。在外部电磁场的效果下，两效用功效結果以相乘选值。因而它有着很高的检测敏感度。当外部无电磁场时，加顺向工作电压，N区电子器件绝大多数引入P区空穴内（图2），仅有极少数自由电子在1区及R区复合型，元器件呈平稳情况。若外部加一正方向电磁场B （图3）时，在正方向电磁场洛仑兹力的效果下，空穴及电子器件健身运动方位均偏重R区，空穴及电子器件在R区的复合型率极高，因而绝大多数自由电子在R区复合型，则1区中自由电子数量大幅降低，R区电阻器随着扩大，损耗亦扩大，进而循环系统造成反馈调节，使该管外界呈现为电阻器扩大，电流量减少，损耗扩大；相反，外部加B－（图4）时，则外界呈现为电阻器减少，电流量扩大，损耗减少。

　　磁敏二极管的工作电压频率特性如图所示5所显示，由图可看得出，在弱电磁场的作用下，输出电压（U）与磁通量（B）正相关呈线性相关，磁敏二极管的光电流特点如图所示6所显示。在磁通量B不与此同时，拥有不一样的光电流特点曲线图，AB为负荷线。由图能够 看得出，根据磁敏二极管的电流量越大，在同一电磁场的作用下，输出电压越高，敏感度也越高。在负性电磁场的作用下，其电阻器小、电流量大；在正方向电磁场的作用下，其电阻器大，电流量小。

　　最终，在选用该管时还需要留意一些关键的主要参数，额定值工作标准电压：V0；工作中电流量：L0；及应用频限f0。比如国产2ACM－1A管，其V0=12V，2mA《I0《215mA，f0《10kHz。

　　磁敏二极管是一种光电变换元器件。这类元器件比霍尔传感器的检测精确度高，且具备体型小、回应快、无触点开关、功率大及线形特点好的优势。该元件在磁性检测、无触点开关、位移测量、转速比精确测量以及他各种各样自动化机械上取得了普遍的运用。

　　磁敏二极管内部构造与一般二极管不一样，在P区与N区中间有一线度远高于自由电子蔓延长短的高纯度空间电荷区-1区，在1区的一个侧边上，嵌有一自由电子高复合型区-R区，其基本上构造如图所示1所显示。该管选用电子器件与空穴双引入效用及复合型效用来操控穿过PN结的电流量。在外部电磁场的效果下，两效用功效結果以相乘选值。因而它有着很高的检测敏感度。当外部无电磁场时，加顺向工作电压，N区电子器件绝大多数引入P区空穴内（图2），仅有极少数自由电子在1区及R区复合型，元器件呈平稳情况。若外部加一正方向电磁场B （图3）时，在正方向电磁场洛仑兹力的效果下，空穴及电子器件健身运动方位均偏重R区，空穴及电子器件在R区的复合型率极高，因而绝大多数自由电子在R区复合型，则1区中自由电子数量大幅降低，R区电阻器随着扩大，损耗亦扩大，进而循环系统造成反馈调节，使该管外界呈现为电阻器扩大，电流量减少，损耗扩大；相反，外部加B一（图4）时，则外界呈现为电.r减少，电流量扩大，损耗减少。

　　磁敏二极管的工作电压频率特性如图所示5所显示，由图可看得出，在弱电磁场的作用下，输出电压（U）与磁通量（B）正相关呈线性相关，磁敏二极管的光电流特点如图所示6所显示。在磁通量B不与此同时，拥有不一样的光电流特点曲线图，AB为负荷线。由图能够 看得出，根据磁敏二极管的电流量越大，在同一电磁场的作用下，输出电压越高，敏感度也越高。

　　在负性电磁场的作用下，其电阻器小、电流量大；在正方向电磁场的作用下，其电阻器大，电流量小。

　　最终，在选用该管时还需要留意一些关键的主要参数，额定值工作标准电压：Vo；工作中电流量：Lo;及应用频限foo比如国产2ACM-1A‘管，其Vo=12V，2mA《Io《215mA，fo《lOkHz。

　　磁敏二极管的构造

　　磁敏二极管的构造如下图所显示。它是平面图P＋-i-N＋型构造的二极管。在高纯半导体材料锗的两边用铝合金法制成高夹杂P型区和N型区。i区是高纯度空间电荷区，该区域的长短远远地超过自由电子蔓延的长短。在i区的一个侧边上，用蔓延、碾磨或蔓延残渣等办法做成高复合型区r，在r地区内自由电子的结合速度很大。

上一篇：光敏二极管为什么反接

下一篇：TDA8145枕形失真校正专用集成电路