pin光电二极管基本原理

　　PIN型光电二极管也称PIN结二极管、PIN二极管，在二种半导体材料中间的 PN结，或是半导体材料与金属材料中间的结的相邻地区，在P区与N区中间转化成I型层，消化吸收光辐射而造成光电流的一种光探测器。具备结电容小、渡越时间较短、敏感度高优势。

　　在以上的光电二极管的PN结正中间掺加一层浓度值很低的I型半导体，就可以扩大耗光区的总宽，做到减少蔓延活动的危害，提升 响应时间的目地。因为这一掺加层的参杂浓度值低，几近本征（Intrinsic）半导体材料，故名I层，因而这类构造变成 PIN光电二极管。I层偏厚，基本上拥有了全部耗光区。绝大多数的入射角在I层内被吸附并造成很多的电子器件-空穴对。在I层两边是夹杂浓度值很高的P型和N型半导体，P层和N层非常薄，消化吸收入射角的占比不大。因此光造成电流量中飘移份量占了主导性，这就大大的加速了响应时间。

　　PIN光电二极管构造

　　在P型半导体和N型半导体中间夹着一层本征半导体。由于本征层相比于P区和N区是高阻区那样，PN结的内静电场就大部分全集中化于 I 层中。

　　pin光电二极管i层功效

　　本征层的引进，显著扩大了p 区的耗尽层的薄厚，这有助于减少自由电子的传播全过程。耗尽层的扩宽，还可以显著降低结电容，进而使电源电路参量减少。与此同时耗光扩宽还有助于对长波区的消化吸收。特性较好的PIN光电二极管，蔓延和飘移時间一般在10-10s量级，相频特性在千兆赫兹。具体运用中决策光电二极管的相频特性的首要要素是电源电路的稳态值。有效挑选负载电阻是一个很重要的难题。

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