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LED三维封装原理及芯片优化

2021-12-18 09:30分类:电子元器件 阅读:

 

  为了更好地使LED通往照明灯具,各大型厂迫切需要的情况是控制成本,提升流明值。在其中合理的方法是不在提高费用的情形下,怎样引入大电流量。本封裝合适于垂直结构LED,加工工艺上撤销以前的LED芯片N--面ITO电级,替代的是施胶型全透明电级加工工艺融合PET塑料薄膜产生无线纹的封裝方式。

  操作步骤如图所示B,LED垂直结构集成ic(2)P--面电焊焊接与基钢板(1)正电极,导电性板材Cu(3)电焊焊接与基钢板(1)负电极,LED芯片与板材Cu的高宽比基本一致,施胶型全透明导热原材料(4)施胶于PET塑料薄膜(5),施胶型全透明导热原材料(4)联接LED芯片(2)N--面与导电性板材Cu(3) 顶端。产生三维塑料薄膜封裝。

  LED芯片优化结构如图所示A,集成icN--面不用制做电级,不用电流量蔓延,不用焊层。替代原来ITO电级将是施胶型全透明电级。

  

  三维封裝优点;1)集成icN--面的电流量引入与P--面基本上类似,产生等电位连接电流量。能够引入大电流量。2)电级方式好于梳状电级能够增加芯片尺寸,提升特效。3)提升流明值,控制成本。4)塑料薄膜封裝完成轻巧化。5)无线纹封裝提升元器件可靠性。6)有利于模块化设计生产制造。

  集成ic方面;1)撤销电级删,降低挡光。2)无电级制做,简化加工工艺。

  注;施胶型全透明电级是取代ITO的一种发展趋势。目前施胶型原材料透光度80%之上;包含1)施胶型ITO导电性颗粒物,2)高分子材料导电性原材料,3)纳米银抗菌导电性颗粒物,4)Ag丝墨。在其中电阻器最少的是Ag丝。方阻0.1-----0.2欧母。好于ITO方阻7----8欧母。

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