肖特基二极管的结构_肖特基二极管的检测方法

2021-12-28 07:51分类：电子元器件阅读：

　　肖特基二极管的构造

　　新式髙压SBD的构造和材质与传统式SBD是有差异的。传统式SBD是利用金属材料与半导体材料触碰而组成。金属复合材料可采用铝、金、钼、镍和钛等，半导体材料一般为硅（Si）或氮化镓（GaAs）。因为电子器件比空穴电子密度大，为得到较好的频率特点，故采用N型半导体原材料做为硅片。为了更好地减徐熙娣BD的结电容，提升反方向击穿电压，与此同时又不使串联电阻过大，一般是在N 衬底上外延性一高阻N－层析。CP是列管式串联电容器，LS是导线电感器，RS是涉及半导体材料体电阻器和导线电阻器以内的串联电阻，Cj和Rj各自为结电容和结电阻（均为偏流、偏压的涵数）。　大伙儿了解，金属材料电导体內部有很多的导电性电子器件。当金属材料与半导体材料触碰（二者间距仅有原子大小的量级）时，金属材料的费米能级小于半导体材料的费米能级。在合金內部和半导体材料导带相对性应的分电子能级上，电子密度低于半导体材料导带的电子密度。因而，在二者触碰后，电子器件会从半导体材料向金属材料蔓延，进而使金属材料携带负电，半导体材料带正电。因为金属材料是满意的电导体，负电只分散在表层为原子大小的一个层析以内。而针对N型半导体而言，丧失电子器件的施主残渣分子变成共价键，则分散在很大的薄厚当中。电子器件从半导体材料向金属材料蔓延活动的結果，产生空间电荷区、建造静电场和能隙，而且耗尽层只在N型半导体一边（能隙区所有落在半导体材料一侧）。能隙区中建造电场方向由N型区偏向金属材料，随热电子发送建造场提升，与蔓延电流的方向反过来的飘移电流量扩大，最后实现稳定平衡，在金属材料与半导体材料中间产生一个触碰能隙，这就是肖特基势垒。

　　在另加工作电压为零时，电子器件的蔓延电流量与反方向的飘移电流量相同，做到稳定平衡。在加正方向偏压（即金属材料加正工作电压，半导体材料加负工作电压）时，建造场消弱，半导体材料一侧能隙减少，因此产生从金属材料到半导体材料的正面电流量。当加反方向偏压时，建造场提高，势垒高度提升，产生由半导体材料到金属材料的较小反方向电流量。因而，SBD与PN结二极管一样，是一种具备单方面导电率的离散系统元器件。

　　肖特基二极管的封裝

　　肖特基二极管分成有导线和表层安裝（帖片）二种封装类型。选用有导线式封裝的肖特基二极管一般做为高频率大电流量整流二极管、续流二极管或维护二极管应用。它有短管式和对管（双二极管）式二种封装类型。肖特基对管又有共阴（两管的负级相接）、共阳（两管的阳极相接）和串连（一只二极管的阳极接另一只二极管的负级）三种引脚引出来方法。

　　选用表层封裝的肖特基二极管有单管系统型、双管形和三管形等多种多样封装类型，有A~19种引脚引出来方法。