可控硅、整流晶闸管RC阻容吸收电路的计算
电容器的挑选:
C=(2.5-5倍)&TImes;10的负8三次方&TImes;IF
1F=1000Uf1Uf=1000nF1Nf=1000pf
If=0.367Id
Id-直流电流值
假如整流器侧选用500A的可控硅(晶闸管)能够测算
C=(2.5-5)&TImes;10的负8三次方&TImes;500=1.25-2.5F 采用2.5F,1kv 的电力电容器
电阻器的挑选:
R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56 挑选10欧
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方米×10的负12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相电压的有效值
RC的稳态值一般状况下取1~10ms。
小输出功率负荷一般 取2ms上下,R=220欧姆1W,C=0.01微法400~630V。
功率大的负荷一般 取10ms,R=10欧姆10W,C=1微法630~1000V。
R的选择:小输出功率选陶瓷膜或RX21线绕或水泥电阻;功率大的选RX21线绕或水泥电阻。
C的选择:CBB系列产品相对应抗压的无旋光性电力电容器。
看维护目标来区别:交流接触器电磁线圈的减振消化吸收和低于10A电流量的晶闸管的减振消化吸收纳入小输出功率范围;交流接触器接触点和超过10A之上的晶闸管的减振消化吸收纳入功率大的范围。
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