肖特基二极管原理

　　肖特基二极管是贵重金属（金、银、铝、铂等）A为正级，以N型半导体B为负级，运用二者表面上建立的能隙具备整流器特点而制作的金属材料-半导体元器件。由于N型半导体中普遍存在着很多的电子器件，贵重金属中仅有少量的自由电荷，因此 电子器件便从含量高的B中往浓度值低的A中蔓延。显而易见，金属材料A中沒有空穴，也就不会有空穴自A向B的蔓延健身运动。伴随着电子器件不断地从B蔓延到A，B表层电子器件浓度值逐步减少，表层电荷平衡被毁坏，因此就产生能隙，其电场方向为B→A。但在该静电场功效下，A中的电子器件也会发生从A→B的甩尾健身运动，进而削弱了因为蔓延健身运动而产生的静电场。当确立起一定总宽的空间电荷区后，静电场导致的电子器件飘移健身运动和含量差异造成的电子器件蔓延健身运动做到相应的均衡，便产生了肖特基势垒。

　　典型性的肖特基稳压管的內部线路构造是以N型半导体为硅片，在上面产生用砷作掺杂剂的N-外延性层。阳极氧化应用钼或铝等材质做成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来解决边沿地区的静电场，提升 管道的抗压值。N型硅片具备不大的通态电阻器，其夹杂浓度值较H-层要高100%倍。在硅片下面产生N 负极层，其功效是减少负极的回路电阻。根据优化结构主要参数，N型硅片和阳极氧化金属材料中间便产生肖特基势垒，如下图所示。当在肖特基势垒两边再加上正方向偏压（阳极氧化金属材料插线正级，N型硅片插线负级）时，肖特基势垒层变小，其阻值缩小；相反，若在肖特基势垒两边再加上反方向偏压时，肖特基势垒层则变大，其内电阻增大。

　　总的来说，肖特基稳压管的构造机理与PN结稳压管有非常大的差别一般将PN结稳压管称之为结稳压管，而把金属材料-半软管稳压管称为肖特基稳压管，选用硅平面工艺生产制造的铝硅肖特基二极管也已面世，这不仅仅可节约贵重金属，大幅度减少成本费，还改进了主要参数的一致性。

　　肖特基二极管运用

　　SBD的构造及特性使其适用于在低电压、大电流量輸出场所作为高频率整流器，在十分高的次数下（如X波段、C波段、S股票波段和Ku波段）用以检波和混频，在快速时序逻辑电路中作为箝位。在IC中也常应用SBD，像SBD？TTL集成电路芯片早就变成 TTL电路的流行，在快速电脑中被普遍选用。

　　除开一般PN结二极管的性能主要参数以外，用以检波和混频的SBD电气设备主要参数还包含高频特性阻抗（指SBD增加额定值本振效率时对特定高频所出现的特性阻抗，一般在200Ω～600Ω中间）、工作电压回损（一般≤2）和噪声系数等。

　　肖特基二极管作用

　　肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又被称为肖特基势垒二极管（通称 SBD），它属一种功耗低、快速半导体元器件。最明显的特性为反向恢复時间非常短（能够 小到几纳秒），正指导通损耗仅0.4V上下。其多作为高频率、低电压、大电流量整流二极管、续流二极管、维护二极管，也有效在卫星通信等电源电路中作整流二极管、小数据信号检波二极管应用。在通信电源、变频调速器等中非常普遍。

　　一个典型性的运用，是在双极型晶体三极管 BJT 的电路里边，根据在 BJT 上联接 Shockley 二极管来箝位，促使晶体三极管在通断模式时实际上 处在很贴近截至情况，进而提升 晶体三极管的按钮速率。这类办法是 74LS，74ALS，74AS 等典型性数据 IC 的 TTL內部控制电路中采用的技术性。

　　肖特基（Schottky）二极管的最大的优点是正方向损耗 VF 较为小。在一样电流量的情形下，它的顺向损耗要小很多。此外它的修复时间较短。它也是有一些缺陷：抗压相对比较低，泄露电流稍大点。采用时要全方位考虑到。

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