整流二极管主要参数

　　（1）较大 均值整流器电流量IF：指二极管长期性工作中时可以利用的较大 正方向均值电流量。该电流量由PN结的结总面积和排热情况决策。应用时要留意根据二极管的大概电流量不可以超过此值，并要达到排热标准。比如1N4000系列产品二极管的IF为1A。

　　（2）最大反方向工作标准电压VR：指二极管两边容许增加的最高逆向工作电压。若超过此值，则反方向电流量（IR）猛增，二极管的单边导电率被毁坏，进而造成反方向穿透。一般取反方向击穿电压（VB）的一半做为（VR）。比如1N4001的VR为50V，1N4002-1n400六分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V。

　　（3）较大 反方向电流量IR：它是二极管在最大反方向工作标准电压下容许穿过的方向电流量，此参数体现了二极管单边导电率能的优劣。因而这一电流越小，说明二极管品质越好。

　　（4）击穿电压VB：指二极管反方向光电流特点曲线图大幅度弯折点的电流值。反方向为软特点时，则指给出反方向泄露电流标准下的电流值。

　　（5）最大输出功率fm：它是二极管在正常的状况下的最大输出功率。关键由PN结的结电容及扩散电容决策，若输出功率超出fm，则二极管的单边导电率能将无法有效地反映。比如1N4000系列产品二极管的fm为3kHz。另有快修复二极管用以頻率较高的交流电流的整流器，如开关电源电路中。

　　（6）反向恢复時间trr：指在要求的负荷、正方向电流量及较大 反方向暂态工作电压下的反向恢复時间。

　　（7）零偏压电容器CO：指二极管两电压为零时，扩散电容及结电容的容积之和。特别注意的是，因为生产工艺技术的限定，即便 同一型号规格的二极管其主要参数的离散性也非常大。指南中列出的主要参数通常是一个范畴，若检测标准更改，则对应的基本参数也会产生变化，比如在25°C时测出1N5200系列产品硅塑封膜整流二极管的IR低于10uA，而在100°C时IR则变成低于500uA。

　　整流二极管的功效

　　整流二极管的功效具备非常明显的单边导电率。整流二极管可选用半导体材料锗或硅等原料生产制造。硅整流二极管的效果能够合理的击穿电压高，反方向泄露电流小，高溫特性优质。整流二极管的效果是运用PN结单边导电性特点，把交流电流转化成脉动饮料直流电源。整流二极管的工作电流很大，大多数选用面接触料封裝。那麼整流二极管的功效具体都有哪些呢？下边便是我们针对整流二极管的效果的主要详细介绍。

　　整流二极管的功效更为明显的便是其正方向性，整流二极管另加正方向工作电压时，正方向特点起止一部分中的顺向工作电压不大，不可以合理的摆脱PN结内静电场的阻拦功效，当整流二极管的正面电流量基本上为零，这一段称之为过流保护，不可以使二极管通断的顺向工作电压称之为过流保护工作电压。当整流二极管正方向工作电压超过过流保护工作电压之后，PN结内静电场被合理摆脱，整流二极管的正指导通，电流量随工作电压扩大而迅速升高。在一切正常的工作电流范畴内，通断时整流二极管直流电压基本上保持不会改变。

　　整流二极管的功能中的反方向性，是当整流二极管另加反方向工作电压不超过一定范畴时，根据整流二极管的电流量极少数自由电子飘移健身运动进而产生的方向电流量。因为整流二极管的功效反方向电流量不大，整流二极管处在截至情况。整流二极管的反方向饱和电流受溫度危害。一般硅整流二极管的功效反方向电流量比锗整流二极管的功效小得多，小输出功率硅整流二极管的反方向饱和电流在nA量级，小输出功率锗整流二极管在μA量级。当整流二极管溫度增高时，半导体材料遇热激起，极少数自由电子数量也会提升。

　　整流二极管的功能中的反方向穿透，反方向穿透按原理基本原理分成齐纳穿透和雪崩击穿二种状况。整流二极管在高夹杂浓度值的情形下，整流二极管因能隙区总宽不大，反方向工作电压很大会毁坏能隙区域内化学键构造，使电子器件离开化学键拘束，造成电子器件空穴，整流二极管的功能中的另一种穿透为雪崩击穿。当整流二极管反方向工作电压提高到很大标值时，另加静电场会使电子器件飘移速率加速，进而使整流二极管化学键中的价电子相碰撞，把价电子撞出化学键，造成新的电子器件氧空位对。

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