5.0

4.5

4.5

4.5

操作温度/℃

－40～125

　　夹层玻璃密封性型内置式温度传感器是在传统式内置式温度传感器基本上发展壮大下去的一种高靠谱比较敏感元器件， 具备很高的冲击韧性，还能够避免因比较敏感集成ic曝露于空气，物理学、有机化学吸咐而导致的元器件特性飘移。 与此同时夹层玻璃很高的传热系数对用以过电流保护、温度补偿的温度传感器的运用也比较有益。SHIBAURA企业的KG2、KG3型便是这类玻封内置式NTC的经典意味着。

KG型温度传感器构造

KG型内置式温度传感器的构造比较简单， 它包含一个正中间破孔的柱形玻璃试管、一个双面涂烧了AgPd电级的比较敏感集成ic和2个金属电极，将热敏电阻集成ic和金属电极先后装进柱形玻璃试管内， 经高溫煅烧密封性而成。夹层玻璃变软收拢后，能够使金属电极与热敏电阻集成ic产生稳定的触碰。这一加工工艺与传统的的径向导线型玻封温度传感器的加工工艺基本一致。挑选具备适度B值的原材料，根据调整集成ic的几何图形规格， 能够获得各种各样技术参数的电子器件。这类KG型内置式温度传感器与传统式内置式温度传感器对比，具备良好的可靠性；选用柱形玻璃封装后， 在开展贴片加工工艺时，这类元器件在电路板上不容易产生翻转而发生部位偏位；优良的物理性能确保其在受外力作用时或印刷线路板产生弯曲时不易破裂； 金属电极能够确保侵润优良的靠谱电焊焊接，与此同时又不伤到内电级。因而，确保了该商品的可靠性高与高精密。

内置式NTC关键有单面片和多堆叠内置式二种内结构形式。一般热敏电阻材质的电阻随原材料热激活能多少而相对转变，高B值原材料相匹配于高电阻值原材料，因此高B低阻原材料难以开发设计， 海外相关生产商制造的单面内置式NTC性能参数见表2所显示。从表格中还可以看得出，当电阻值低至（500～220）Ω已难以保持3000之上的高B值。 假如使用高B高阻原材料以双层串联构造则能够保持低阻化。SIEMENS企业新近研发的C1621型双层内置式NTC，电阻值(100～10)Ω，B值维持在3500之上。太阳诱电企业研发的TPB型双层内置式NTC与单面内置式NTC温度传感器对比，表明出多种特性优点，详细表3所显示。 除此之外，MURATA企业及其英国JECAL企业等都陆续开发设计出高B值低电阻值的双层内置式NTC温度传感器。

表2海外相关生产商制造的单面内置式NTC温度传感器性能参数

生产商

型号规格

规格型号

R（高阻段）

B值

R（低阻段）

B值

SIEMENS

C620C621

08051206

680kΩ～220Ω

4300～3100

－

－

TDK

NTCCS2010NTCCS3216

08051206

150kΩ～470Ω

4150～3250

－

－

MURATA

NTH5GIMNTH5G2M

06030805

200kΩ～1kΩ100kΩ～680Ω

4250～31504250～3100

470～220Ω

2950～2900

MITSUBISHI

TN05?TN10TC10?TC20TN20?TN23

040206030805

2MΩ～330Ω

5040～3000

220～30Ω

2900～2150

PHILIPS

2322?615

0805

470kΩ～330Ω

4130～3041

220～100Ω

2900～2880

KETEMA

KR

08051206

150kΩ～1kΩ

4250～3200

500～250Ω

3000

FENWAL

172173175

060308051206

500kΩ～3kΩ

4144～3420

500～200Ω

2758

在移动通信技术机器设备小而轻的趋势推动下，石英谐振器元器件也在不断地发布更小更薄的表层拼装商品。 TCXO早已90％之上完成内置式化，做为移动通信技术机器设备的重要元器件，它是现阶段内置式NTC温度传感器运用最普遍的行业之一。每一个TCXO都带有一个温度补偿电源电路来清除冷、热对石英谐振器串联谐振特性造成的危害， 使石英晶振能够在很宽的温度范围内维持结晶共震特点平稳。这也是内置式NTC在很多移动通信技术机器设备中获得广泛运用的根本所在。到迄今为止，TCXO的赔偿电源电路一般选用内置式NTC等分立式元器件制成混和元器件，最近JVC和PANASONIC合作开发出用以制作通用性TCXO及数据TCXO的新技术应用，这一技术性将选用内置式NTC的温度补偿电源电路集成化于片式IC中，早已使TCXO的容积降到0.126cm3，并且有着很高的温度补偿精密度，彻底适用于携带式智能终端，这一创新早已造成石英石元器件工业领域的巨大关心。

表3日本太阳诱电企业的内置式NTC温度传感器特性

常规实验

实验标准

电阻值弹性系数/％

单面（0805）

双层（0603）

超低温脆化

－55℃,1000h

<0.6

0

高溫脆化

125℃,1000h

<0.6

<0.2

高低温试验循环系统

－55℃(30min)/125℃(30min)100次

<0.6

<0.3

出虚汗实验

85℃，RH95％，1000h60℃,RH95％,1000h

<0.8

<0.1

出虚汗负载

85℃,RH95％,10mW,1000h60℃,RH95％,10mW,1000h

<0.9

<0.1

可电焊焊接特性

240℃,5s,3次

<0.9

<0.3

耐水洗性

－

<0.2

<0.1

　　LCD的性能与温度息息相关，溫度小于某一特殊值，LCD的透光率便会减少，造成图像模糊不清； 工作温度过高，又会导致饱和度太强 ，危害LCD的使用寿命。应用内置式NTC温度传感器开展温度补偿，能够利用操纵LCD的推动工作电压使其维持持续平稳的饱和度。

现阶段在镍镉、镍氢及锂电中，内置式温度传感器能够精确测量充电电池內部及环境因素的溫度信息内容，对线路开展维护,保证快充。关键作用：将电池温度保持在一定区域内，以确保快充； 阻拦因环境破坏而导致的不正确的运行状态；出现异常工作中和外界短路故障造成的充电电池超温将停止；根据准确调节环境温度可保证电瓶充斥着正电荷。

内置式NTC温度传感器优质的特性除开在以上晶振电路、混和集成电路芯片（HybridIC,HIC）和晶体三极管电源电路中的使用之外，其主要用途很宽，还可普遍使用于显示屏及其通用性的电子线路， 如：在陀螺传感器、瞬时速度感应器中开展温度补偿；安裝在轴流式电级中， 如电子计算机中的微型马达、数码相机摄像镜头对焦电动机等设施中的操纵电机额定功率；在打印出中的操纵打印机喷头的溫度，避免超温； 在硬盘的步进驱动器（Servo－controllers）和迷你播放器(Minidiscplayer)的控制器中，避免数据信息曲解等。全部这些方面的运用，内置式NTC温度传感器全是贴片于印刷线路板中。在电子线路向密度高的拼装方位发展趋势的与此同时，内置式NTC温度传感器正快速在常用的各种各样军工用、工业生产及民用型仪表仪器机器设备中开发设计推出的主要用途。

3 内置式PTC温度传感器

PTC温度传感器一般全是由BaTIO3原材料加上少许的稀有元素经高溫煅烧的比较敏感瓷器制作的。这类材质在溫度升高到原材料居里温度点时，其电阻值会以指标方式骤然提升，一般电阻值－溫度弹性系数在20％～40％中间。 热导率的部位能够通过调节原材料秘方及加工工艺来更改。

传统式的PTC温度传感器能够做为温度感应器应用，还可以用以过电流保护、发热体、彩色电视和监控器的去磁、迷你制冷压缩机电动机的起动延迟时间等。伴随着密度高的拼装技术性的发展趋势，超温维护内置式PTC温度传感器的使用要求大幅度提升。表4列举了MURATA企业的0805型内置式温度传感器的具体技术参数， 其检测溫度在85℃～145℃中间，温度测量精密度为±5℃。客户还能够依据被维护元器件的规定，挑选相对应热导率的内置式PTC元器件。 这类内置式PTC归属于体型小、无封裝的四方体构造，具备良好的热回应特点。做为一种超温维护元器件，与传统式保险丝管对比， 不容易因融断而常常拆换；与电阻带热感应器对比，归属于非电源开关触碰型，沒有噪声。

表4MURATA企业的PTH9C32型温度传感器关键技术参数

型号规格

电阻值

检测溫度

较大工作标准电压

较大容许电流量

操作温度

PTH9C32AS471Q－T

470Ω±50％

145±5℃

DC15V

30mA

－20℃～＋160℃

PTH9C32AR471Q－T

135±5℃

－20℃～＋150℃

PTH9C32BA471Q－T

125±5℃

－20℃～＋140℃

PTH9C32BB471Q－T

115±5℃

－20℃～＋130℃

PTH9C32BC471Q－T

105±5℃

－20℃～＋120℃

PTH9C32BD471Q－T

95±5℃

－20℃～＋110℃

PTH9C32BE471Q－T

85±5℃

－20℃～＋100℃

　　BaTIO3原材料的原有特点确定了传统式单面内置式PTC温度传感器难以减少电阻值。 双层卷绕型构造的内置式PTC温度传感器不但能够借助双层串联完成低阻化，提升升阻比， 并且可以显著改善温度传感器电阻值－溫度迟缓特点，除此之外还可根据不一样热导率PTC原材料串连或串联组成复合型内置式PTC温度传感器。但双层内置式PTC温度传感器发展比较晚，加工工艺难度系数很大，现阶段尚处在快速发展前期。

内置式PTC温度传感器可以在一个基本上的超温检测参考点电源电路中对元器件开展自觉性维护。比如可将其粘贴于输出功率晶体三极管等总体目标元器件，当总体目标元器件的气温超出某一溫度后， PTC温度传感器的电阻值便会大幅度升高， 造成偏置电压降低，避免“热无法控制”。PTC温度传感器在热导率电阻值变化幅度非常大，因此超温维护控制电路的设计方案比应用齐纳二极管（ZenerDiodes）和NTC温度传感器要简易得多。

因为使用了帖片设计方案，内置式PTC能够根据SMT加工工艺安裝于HIC和DC/DC转化器等线路中具有超温防护的功效。在HIC中，功率放大电路的輸出晶体三极管p－n结的气温要是超出150℃，便会被穿透。 运用PTC温度传感器在指定溫度点电阻值大幅度升高的特点，只需设计方案一个简洁的电源电路，就可以具有热维护功效。在DC/DC转化器中，拼装聚集、高频率高速运转的电源电路常因无法合理致冷而毁坏， 场效管（FET）的击穿也是笔记本应对的现象之一。应用PTC温度传感器能够合理地阻拦FET发烫，对全部元器件具有保障功效。

4 内置式化温度传感器的现状分析与发展趋势

全球电子元器件销售市场正从传统的的消费性电子设备向信息化管理电子设备迁移， 将来对为移动通信技术机器设备、传呼机、笔记本、PDA等配套设施的内置式电子器件的需求可能大幅升高。近些年，具备高频率、快速、多用途化的智能化机器设备获得飞速发展，对内置式电子器件的需求量大幅度提升。 如手提电话、传呼机等的电子器件内置式化率已做到100％。数字相机、具备LCD显示的手执监控摄像头（Camcorder）、迷你播放器(Mini－DiscPlayers)、DVD播放器、HDTV、多媒体系统、多用途街机游戏机及其个人计算机等电子产品，更加内置式电子元件给予了十分广泛的主要用途。SMT的广泛应用和发展趋势进一步影响了电子元器件的内置式化，继阻容元器件普遍内置式化时， 其他利用率相对性较低的元件如温度传感器的内置式化率也在大大提高，日本进出口贸易轻工部（MITI）的统计数据说明：日本NTC温度传感器内置式化率1995年为33.5％，到1997年就提高到42％，可能如今内置式温度传感器的产销量现已超出了分立式脚位温度传感器，特别是在TCXO和LCD等温度补偿主要用途具备一定的优点。

为融入密度高的拼装电源电路的规定，0402型NTC温度传感器将快速变成温度补偿运用的主要产品，内置式PTC温度传感器也将在超温维护行业取得更普遍的运用。 双层内置式温度传感器将进一步完善，更小、特性更完善的内置式温度传感器将层出不穷。高溫应用的内置式温度传感器可能在车辆和电加热器等行业寻找新的更大市场。 将来内置式温度传感器总的技术性发展趋向是：进一步提高温度测量精密度，改进公差配合和稳定性，控制成本，在产品种类上开展优化以融入SMT加工工艺的规定。

与海外内置式温度传感器的迅猛发展产生对比， 虽然中国内置式电子器件工业生产已经有十余年的历史时间，但内置式温度传感器的生产制造现阶段基本上仍是空缺，沒有造成感应器工业领域的充足关心， 对该商品生产工艺的分析也非常少看到报导，感应器生产工艺的落伍和SMT发展比较缓慢是这其中的首要缘故。 现阶段，中国市场前景的内置式温度传感器基本上彻底依靠進口，电阻值、B值精密度在±3％之内的0805型和0603型温度传感器的中国市价，1000只之上为（1.0～2.5）元/只，盈利室内空间非常大。

大家觉得，中国温度传感器的制造早已具备一定的规模化和科研开发工作能力， 假如在目前的内置式瓷片电容的技术基本上开展改善，彻底有可能完成内置式温度传感器的大批量生产。 此外，运用目前径向导线玻封温度传感器的生产工艺，生产制造相近SHIBAURA企业的KG型商品， 应该是一种项目投资较小且简单有效的计划方案。规模效应和规模化生产制造是内置式温度传感器生产制造开发设计最先需要考量的现象之一， 中国内置式温度传感器项目投资生产厂家应当汇总内置式阻容元器件机器设备引入、生产制造开发设计所亲身经历的经验教训，在经济发展经营规模、商品级别、管理能力和市场需求等领域多方位提升， 才可以确保内置式温度传感器感应器的生产制造迈向身心健康快速发展之途。

5 结语

（1）为融入电子器件整机持续微型化、轻量、薄形化和智能化及其生产过程智能化的要求，内置式温度传感器的需求量大幅度提升，运用范畴不断发展。内置式化温度传感器有可能变成温度传感器的主要产品。

（2）内置式温度传感器将进一步提高精密度，改进公差配合和稳定性，控制成本， 在产品种类上开展优化以融入SMT加工工艺的规定。

（3）中国感应器工业领域应当对温度传感器内置式化的发展趋势给与充足关心，在目前内置式电子器件生产工艺流程基本上，融合中国温度传感器的制造特性， 充分运用自己的技术服务工作能力，开发设计出夯实基础的商品，以达到快速发展壮大的中国电子器件科技产业的要求。